Внешнее смещение, при котором «плюс» истоника питания прикладывается к n-области, а «минус» к р-области, называется обратным. При таком смещении уровни энергии р-области смещаются вверх относительно уровней энергии n-области. Поэтому напротив заполненныхэлектронами уровней валентной зоны р-области оказываются свободные уровни проводимости n-области. Это приводит к резкому увеличению числа туннелирующих электронов из р-области в n-область. Поток электронов из n-области в р-область уменьшается. Возникает обратный туннельный ток p-n-перехода (рис. 7, рис. 6 точка с).
Увеличение обратного смещения сопровождается ростом туннельного тока.
