Мероприятия по увеличению устойчивости откосов.
1)Устранение причин,нарушаюших естестенную опору опору грунта(устр-о подпорных стен,прошивка оползневого участка,). 2)Осушение оползневого участка.(дренаж,вентиляция). 3)Регулирование естественных водооттоков. 4)Уменьшение градиента нагрузок.
52. Определение давления идеально сыпучего грунта (с ≠; 0) на вертикальную абсолютно гладкую подпорную стенку при го ризонтальной засылке. На горизонтальную и вертикальную площадки этой призмы при трении
Схемы для определения давления грунта на гладкую подпорную стенку a — идеально сыпучего; б — то же, с учетом равномерно распределенной нагрузки;в — обладающего сцеплением о стенку, будут действовать главные напряжения σ1 (большее) и σз (меньшее). На глубине z: ; . Эпюра давления грунта на подпорную стенку будет треугольной (рис. 8.13, а). Площадь этой эпюры соответствует равнодействующей активного давления грунта Еа на подпорную стенку: с учетом, что z = H, получим Точка приложения равнодействующей Еа находится в центре тяжести эпюры давления σ3. Равнодействующая пассивного отпора при заглублении на величину Н конструкции, передающей давление на грунт, составит: . 53. Учет равномерно распределенной нагрузки, приложенной к поверхности грунта. Пусть к поверхности грунта приложена равномерно распределенная нагрузка q (рис. 8.13,6). Действие этой нагрузки можно заменить действием слоя грунта толщиной h = q/γ; Значение σ3 на глубинах h и H+h: ; По этим значениям построим эпюру активного давления на подпорную стенку и определим суммарное активное давление Еа как площадь трапеции с основанием АВ: Верхняя треугольная часть эпюры не создает давления на стенку. Сила Еа приложена в центре тяжести эпюры а3. 54. Определение давления связного грунта (φ≠ 0 и с ≠0) на вертикальную абсолютно гладкую подпорную стенку при горизонтальной засыпке. всесторонние силы связности pe = c*ctgφ, которые приложим к поверхности грунта и по контакту грунт — подпорная стенка (рис. 8.13,в). ; следовательно Для определения суммарного активного давления целесооб разно построить треугольную эпюру давления σз, приняв z=H, и прямоугольную эпюру давления интенсивностью σс3. Геометрическим суммированием (наложением) получим эпюру активного давления на подпорную стенку в виде заштрихованного треугольника (см. рис. 8.13,в). В верхней части стенки грунт теоретически не давит, а удерживает подпорную стенку. 57. Расчет осадки фундамента методом послойного суммирования. производится исходя из условия S<SU, где S - величина конечной осадки отдельного фундамента, определяемая расчетом; Su - предельная величина деформации основания фундаментов зданий и сооружений, принимаемая по табл. Б.1 [2] Для определения осадки фундамента составим схему(см рис. 7.1) Ординаты эпюры σzqiвычисляются в характерных горизонтальных сечениях (на нижней границе каждого слоя, под подошвой фундамента, на уровне грунтовых вод) по формуле: где γ; i - удельный вес i - го слоя грунта, кН/м3; hi – толщина i- го слоя грунта, Для водонасыщенных слоев грунта, расположенных ниже уровня грунтовых вод, необходимо определять удельный вес грунта с учетом взвешивающего действия воды. Для построения эпюры дополнительных вертикальных напряжений толща грунта ниже подошвы фундамента в пределах глубины, приблизительно равной четырехкратной ширине фундамента, разбивается на ряд слоев мощностью не более 0,4b Величина дополнительного вертикального напряжения для любого сечения ниже подошвы фундамента вычисляется по формуле
где а - коэффициент, учитывающий изменение дополнительного вертикального напряжения по глубине и определяемый по табл П-16[1] в зависимости от (Z - глубина рассматриваемого сечения ниже подошвы фундамента, b - ширина фундамента) и (l - длина фундамента); Рср - среднее фактическое давление под подошвой фундамента, кПа; σzq0 - вертикальное напряжение от собственного веса грунта на уровне подошвы фундамента от веса вышележащих слоев, кПа. Построив эпюры σzq и σzpi определяtv нижнюю границу сжимаемой (активной) зоны грунта, которая находится на глубине Нс ниже подошвы фундамента, где . Осадка отдельного фундамента на основании, расчетная схема которого принята в виде линейно-деформируемого полупространства с условным ограничением глубины сжимаемой толщи, определяется по формуле где β; - коэффициент, равный 0,8; n - число слоев, на которое разделена по глубине сжимаемая толща основания; hi - толщина i - го слоя грунта, см; σzpi - среднее дополнительное (к бытовому) напряжение в i - ом слое грунта, равное полусумме дополнительных напряжений на верхней и нижней границах i - го слоя, кПа; Еi- модуль деформации i -го слоя, кПа.
|