Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Мероприятия по увеличению устойчивости откосов.





1)Устранение причин,нарушаюших естестенную опору опору грунта(устр-о подпорных стен,прошивка оползневого участка,).

2)Осушение оползневого участка.(дренаж,вентиляция).

3)Регулирование естественных водооттоков.

4)Уменьшение градиента нагрузок.

 

52. Определение давления идеально сыпучего грунта (с ≠; 0) на вертикальную абсолютно гладкую подпорную стенку при го­ ризонтальной засылке. На гори­зонтальную и вертикальную площадки этой призмы при трении

 

Схемы для определения давления грунта на гладкую подпорную

стенку

a — идеально сыпучего; б — то же, с учетом равномерно распределенной нагрузки;в — обладающего сцеплением

о стенку, будут действовать главные напряжения σ1 (большее) и σз (меньшее).

На глубине z: ; .

Эпюра давления грунта на подпорную стенку будет треугольной (рис. 8.13, а). Площадь этой эпюры соответствует равнодействующей активно­го давления грунта Еа на подпорную стенку: с учетом, что z = H, получим

Точка приложения равнодействующей Еа находится в центре тяжести эпюры давления σ3.

Равнодействующая пассивного отпора при заглублении на величину Н конструкции, передающей давление на грунт, составит: .

53. Учет равномерно распределенной нагрузки, приложенной к поверхности грунта.

Пусть к поверхности грунта приложена равномерно распределенная нагрузка q (рис. 8.13,6). Действие этой нагрузки можно заменить действием слоя грунта толщиной h = q/γ;

Значение σ3 на глубинах h и H+h: ;

По этим значениям построим эпюру активного давления на подпорную стенку и определим суммарное активное давление Еа как площадь трапеции с основанием АВ:

Верхняя треугольная часть эпюры не создает давления на стен­ку. Сила Еа приложена в центре тяжести эпюры а3.

54. Определение давления связного грунта (φ≠ 0 и с ≠0) на вертикальную абсолютно гладкую подпорную стенку при го­ризонтальной засыпке.

всесторонние силы связности pe = c*ctgφ, которые приложим к поверхности грунта и по контакту грунт — подпор­ная стенка (рис. 8.13,в).

; следовательно

Для определения суммарного активного давления целесооб разно построить треугольную эпюру давления σз, приняв z=H, и прямоугольную эпюру давления интенсивностью σс3. Геометрическим суммированием (наложением) получим эпюру активного давления на подпорную стенку в виде заштрихованного треугольника (см. рис. 8.13,в). В верхней части стенки грунт теоретически не давит, а удерживает подпорную стенку.

57. Расчет осадки фундамента методом послойного суммирования.

производится исходя из условия S<SU,

где S - величина конечной осадки отдельного фундамента, определяемая расчетом;

Su - предельная величина деформации основания фундаментов зданий и сооружений, принимаемая по табл. Б.1 [2]

Для определения осадки фундамента составим схему(см рис. 7.1) Ординаты эпюры σzqiвычисляются в характерных горизонтальных сечениях (на нижней границе каждого слоя, под подошвой фундамента, на уровне грунтовых вод) по формуле:

где γ; i - удельный вес i - го слоя грунта, кН/м3; hi толщина i- го слоя грунта,

Для водонасыщенных слоев грунта, расположенных ниже уровня грунтовых вод, необходимо определять удельный вес грунта с учетом взвешивающего действия воды.

Для построения эпюры дополнительных вертикальных напряжений тол­ща грунта ниже подошвы фундамента в пределах глубины, приблизительно равной четырехкратной ширине фундамента, разбивается на ряд слоев мощностью не более 0,4b

Величина дополнительного вертикального напряжения для любого сечения ниже подошвы фундамента вычисляется по формуле

где а - коэффициент, учитывающий изменение дополнительного вертикаль­ного напряжения по глубине и определяемый по табл П-16[1] в зависимо­сти от (Z - глубина рассматриваемого сечения ниже подошвы фундамента, b - ширина фундамента) и (l - длина фундамента);

Рср - среднее фактическое давление под подошвой фундамента, кПа;

σzq0 - вертикальное напряжение от собственного веса грунта на уров­не подошвы фундамента от веса вышележащих слоев, кПа.

Построив эпюры σzq и σzpi определяtv нижнюю границу сжимаемой (активной) зоны грунта, которая находится на глубине Нс ниже подошвы фундамента, где .

Осадка отдельного фундамента на основании, расчетная схема кото­рого принята в виде линейно-деформируемого полупространства с услов­ным ограничением глубины сжимаемой толщи, определяется по формуле

где β; - коэффициент, равный 0,8; n - число слоев, на которое разделена по глубине сжимаемая толща основания; hi - толщина i - го слоя грунта, см; σzpi - среднее дополнительное (к бытовому) напряжение в i - ом слое грунта, равное полусумме дополнительных напряжений на верхней и нижней границах i - го слоя, кПа; Еi- модуль деформации i -го слоя, кПа.







Дата добавления: 2015-07-04; просмотров: 582. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...


Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Механизм действия гормонов а) Цитозольный механизм действия гормонов. По цитозольному механизму действуют гормоны 1 группы...

Алгоритм выполнения манипуляции Приемы наружного акушерского исследования. Приемы Леопольда – Левицкого. Цель...

ИГРЫ НА ТАКТИЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ Методические рекомендации по проведению игр на тактильное взаимодействие...

Философские школы эпохи эллинизма (неоплатонизм, эпикуреизм, стоицизм, скептицизм). Эпоха эллинизма со времени походов Александра Македонского, в результате которых была образована гигантская империя от Индии на востоке до Греции и Македонии на западе...

Демографияда "Демографиялық жарылыс" дегеніміз не? Демография (грекше демос — халық) — халықтың құрылымын...

Субъективные признаки контрабанды огнестрельного оружия или его основных частей   Переходя к рассмотрению субъективной стороны контрабанды, остановимся на теоретическом понятии субъективной стороны состава преступления...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2026 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия