Студопедия — Расчет дифференциального усилителя
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Расчет дифференциального усилителя






Заданы транзисторы КТ313А, обеспечивающие малую величину дрейфа ДУ и имеющие малый тепловой ток и достаточно высокий коэффициент b. Допустимое напряжение Uкэ.max £ 10В. Следовательно, Ек1к2 £ 7,5 В. Амплитуда выходного напряжения UвыхUдЕг=22 ·9=198 мB может быть обеспечена при Ек1к2=6,3B. Меньшие значения Ек затрудняют построение ГСТ.

При использовании двух источников питания к1 и – Еэ2 в схеме ДУ по рисунку 2.3 потенциал эмиттеров транзисторов 1, 2 в режиме покоя можно принять равным нулю. Это связано с тем, что падение напряжения в цепях баз транзисторов 1, 2 от тока покоя Iб01Rг очень мало при малых входных токах и, следовательно, база транзистора может считаться заземленной по постоянному току. Тогда потенциал эмиттера отличается от потенциала земли на величину Uбэ01 = Uбэ02= 0,5÷0,7 В для кремниевых транзисторов. Поэтому в первом приближении можно считать, что напряжение нижнего источника (-Еэ2) приложено к ГСТ, а верхнего (+Ек1) - к транзисторам 1,VТ2 и резисторам Rк.

Выбираем для транзисторов VT1 и VT2 начальную рабочую точку с Uкэ0 = 3В, Iк0=1мА, Uбэ0 =0,45 В. Тогда номинал резистора Rк составляет

Rк = .

В выбранном режиме h11э=2кОм, b=35,тогда

.

Для увеличения Rвх и выравнивания токов транзисторов VT1 и 2 введем резисторы Rэ, вносящие местную отрицательную обратную связь (ООС) по току транзисторов. Обычно Rэ выбирают порядка десятков или сотен ом.

Полагаем Rэ =40 Ом, тогда

Rвх.д =6[ ()]=6[2* ]=16.32 кОм

Для уменьшения токовой составляющей погрешности ДУ в базовую цепь транзистора VT2 включаем резистор Rб=Rг. Проверим, обеспечивает ли ДУ требуемое значение К. При несимметричном выходе и Rн = ¥

К= ,

что незначительно нехватает к требуемой величине.

Рассчитаем ГСТ, для чего вначале определим потенциал коллектора транзистора 3 относительно общей шины

Следовательно, падение напряжения на транзисторе 3 и резисторе R3 составит

Еэ2–Uк3 =6,3–0,51=5,79 В.

При работе ДУ для нормального функционирования транзистора VT3 в ГСТ необходимо выполнение неравенств

Uкб > 0 и Uкб3 ³Uкэ нас .

Выберем потенциал базы транзистора 3 относительно общей шины

Uб3 = –4,5 В, что обеспечит Uкб3 @ 4В. тогда падение напряжения U на резисторе R4 и диоде

U = Eэ2 – Uб3=6,3–4,5=1.8 В.

Падение напряжения на резисторе R3

UR3=U – Uбэ03=1,32–0,5=0,82 В.

Здесь Uбэ03=0,5 В при Iк03=Iк01= Iк02=2мА. Тогда сопротивление резистора R3

R3=UR3/Iк03=0,82/2=0,41 кОм;

Выберем ток делителя R4,R5, равным коллекторному току транзистора 3, т.е. Iдел =2 мА. Тогда:

R5= (Ек2 –U)/Iдел=4,98/2=2,49 кОм.

Для определения номинала резистора R4 необходимо прежде выбрать диод . Целесообразно в качестве диода применить транзистор КТ307Б в диодном включении, что обеспечит хорошую температурную компенсацию изменения Uбэ транзистора 3 вследствие одинаковых ТКН диода и транзистора VT3. По входной характеристике транзистора КТ307Б при Iэ=2мА величина Uд = Uбэ0 =0,5В и поэтому

кОм.

Рассчитаем коэффициент усиления синфазного сигнала Кu сф несим при несимметричном выходе ДУ, имея в виду, что вместо резистора Rэ в схеме ДУ с ГСТ следует учитывать сопротивление Rвых3 транзистора 3 c введенной отрицательной обратной связью по току через резистор R3.

где

.

При значениях сопротивлений элементов:

; R3 = 410 Oм;

; rб3 = 100 Ом и

R4||R5=2,49||0,41=0,505 кОм Rвых3 будет равно

Rвых3 = кОм.

Тогда коэффициент усиления синфазного сигнала

КU сф несим = ,

и коэффициент ослабления синфазного сигнала

Кос.сф =

Литература

1. Работы учебные. Фирменный стандарт ФС РК 10352-1910-У-е-001-2002. Общие требования к построению, изложению, оформлению и содержанию. – Алматы: АИЭС, 2002. – 31 с.

2. Головатенко-Абрамова М.П., Лапидес А.М. Задачи по электронике. – М.: Энергоатомиздат, 1992. – 112 с.

3. Расчет электронных схем. Учебное пособие для вузов. /Г.И.Изъюрова и др. – М.: Высшая школа, 1987.‑335 с.

4. Жолшараева Т.М. Микроэлектроника. Полупроводниковые приборы: Учебное пособие. ‑ Алматы: АИЭС, 2006. – 79 с.

5. Нефедов А.В. Транзисторы для бытовой, промышленной и спе-циальной аппаратуры: Справочное пособие. – М.: Солон-Пресс, 2006. – 600 с.

6. Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник. /Под редакцией Б.Л.Перельмана. – М.: Радио и связь, 1982. – 656 с.

7. Перельман Б.Л. Полупроводниковые приборы. Справочник. – М.: «СОЛОН», «МИКРОТЕХ», 1996. – 176 с.

8. Жолшараева Т.М.. Схемотехника 1. Конспект лекций для студентов всех форм обучения специальности 050704 –Вычислительная техника и программное обеспечение. – Алматы: АИЭС, 2008. – 50 с.

 

 







Дата добавления: 2015-09-04; просмотров: 1198. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Устройство рабочих органов мясорубки Независимо от марки мясорубки и её технических характеристик, все они имеют принципиально одинаковые устройства...

Ведение учета результатов боевой подготовки в роте и во взводе Содержание журнала учета боевой подготовки во взводе. Учет результатов боевой подготовки - есть отражение количественных и качественных показателей выполнения планов подготовки соединений...

Сравнительно-исторический метод в языкознании сравнительно-исторический метод в языкознании является одним из основных и представляет собой совокупность приёмов...

Принципы и методы управления в таможенных органах Под принципами управления понимаются идеи, правила, основные положения и нормы поведения, которыми руководствуются общие, частные и организационно-технологические принципы...

ПРОФЕССИОНАЛЬНОЕ САМОВОСПИТАНИЕ И САМООБРАЗОВАНИЕ ПЕДАГОГА Воспитывать сегодня подрастающее поколение на со­временном уровне требований общества нельзя без по­стоянного обновления и обогащения своего профессио­нального педагогического потенциала...

Эффективность управления. Общие понятия о сущности и критериях эффективности. Эффективность управления – это экономическая категория, отражающая вклад управленческой деятельности в конечный результат работы организации...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия