Классификация конденсаторов

Таблица 6- Структурная схема транзистора КТ816А

 

Транзисторы

Биполярные

Полевые

p-n-p

n-p-n

С p-n-переходом

С изолированным затвором

С каналом n-типа

С каналом p-типа

Со встроенным каналом

С индуцированным каналом

 

 

Рисунок 4- Габаритные размеры транзистора КТ-27

 

Выбор конденсаторов

 

Конденса́тор — двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой омической проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. Обычно состоит из двух электродов в форме пластин (называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок.

Конденсаторы делятся на: постоянные, переменные, построечные.

Исходными данными для выбора постоянных конденсаторов являются: номинальная величина емкости, указанная в схеме и допуск на её отклонение, назначение цепи, в которой устанавливается конденсатор, режим цепи, конструктивное оформление.

Классификация конденсаторов

Основная классификация конденсаторов проводится по типу диэлектрика в конденсаторе. Тип диэлектрика определяет основные электрические параметры конденсаторов: сопротивление изоляции, стабильность ёмкости, величину потерь и др.

По виду диэлектрика различают:

Конденсаторы вакуумные (обкладки без диэлектрика находятся в вакууме).

Конденсаторы с газобразным диэлектриком.

Конденсаторы с жидким диэлектриком.

Конденсаторы с твёрдым неорганическим диэлектриком: стеклянные (стеклоэмалевые, стеклокерамические, стеклоплёночные), слюдяные, керамические тонкослойные из неорганических плёнок.

Конденсаторы с твёрдым органическим диэлектриком: бумажные, металлобумажные, плёночные, комбинированные — бумажноплёночные, тонкослойные из органических синтетических плёнок.

Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Такие конденсаторы отличаются от всех прочих типов прежде всего своей огромной удельной ёмкостью. В качестве диэлектрика используется оксидный слой на металлическом аноде. Вторая обкладка (катод) — это или электролит (в электролитических конденсаторах), или слой полупроводника (в оксидно-полупроводниковых), нанесённый непосредственно на оксидный слой. Анод изготовляется, в зависимости от типа конденсатора, из

алюминиевой, ниобиевой или танталовой фольги или спечённого порошка.

Кроме того, конденсаторы различаются по возможности изменения своей ёмкости:

Постоянные конденсаторы — основной класс конденсаторов, не меняющие своей ёмкости (кроме как в течение срока службы).

Переменные конденсаторы — конденсаторы, которые допускают изменение ёмкости в процессе функционирования аппаратуры. Управление ёмкостью может осуществляться механически, электрическим напряжением (вариконды, варикапы) и температурой (термо­конденсаторы). Применяются, например, в радиоприёмниках для перестройки частоты резонансного контура.

Подстроечные конденсаторы — конденсаторы, ёмкость которых изменяется при разовой или периодической регулировке и не изменяется в процессе функционирования аппаратуры. Их используют для подстройки и выравнивания начальных ёмкостей сопрягаемых контуров, для периодической подстройки и регулировки цепей схем, где требуется незначительное изменение ёмкости.

В зависимости от назначения можно условно разделить конденсаторы на конденсаторы общего и специального назначения. Конденсаторы общего назначения используются практически в большинстве видов и классов аппаратуры. Традиционно к ним относят наиболее распространённые низковольтные конденсаторы, к которым не предъявляются особые требования. Все остальные конденсаторы являются специальными. К ним относятся высоковольтные, импульсные, помехоподавляющие, дозиметрические, пусковые и другие конденсаторы.

В данной схеме мы используем конденсатор К50-35 так как он обладает следующими преимуществами: высокая удельная емкость, позволяющая изготавливать конденсаторы емкостью свыше 1Ф, высокий максимально допустимый ток пульсации, высокая надежность.

Рисунок 5-Изображение конденсатора К50-35

Рисунок 6-Габаритные размеры конденсатора К50-35

 

Таблица 7-Технические параметры конденсатора К50-35

Тип	К50-35
Рабочее напряжение,В
Номинальная емкость,мкФ
Рабочая температура,С	-25…105

 

Таблица 8 - Размеры конденсатора К50-35

ОD		6.3		10 12.5	16 18
F	2.0	2.5	3.5	5.0	7.5
Оd	0.5	0.6	0.8
a	1.0	L< 16:1.0 L> 16:2.0

 

Обоснование выбора полупроводникового диода

Диод представляет собой простейшую форму полупроводникового прибора. Полупроводниковые диоды – это приборы, основанные на различных свойствах p-n-перехода.

Диоды изготавливаются в металлостеклянных, металлических, пластмассовых, метало – керамичемких корпусах.

Типы диодов

Диоды бывают электровакуумными (кенотроны), газонаполненными (газотроны, игнитроны, стабилитроны), полупроводниковыми и др. В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды.

 

В данной схеме используется светодиод АЛ307Ла

Выбор светодиода производится исходя из электрических параметров.

Светодиоды подразделяются на два класса:

светодиоды видимого излучения;

светодиоды невидимого излучения (инфракрасного).

В данном случае светодиод сигнализирует нагревание прибора и поэтому следует выбирать светодиоды видимого излучения.

Существуют множество светодиодов красного излучения, например:

АЛ102А, АЛ307ГМ. Лучше всего выбирать АЛ307Ла, так как у них малая

потребляемая мощность, а мощность излучения большая, работают они от маленького уровня напряжения.

 

 

Рисунок 7-Изображение светодиода АЛ307Ла

 

Таблица 9- Технические параметры светодиода АЛ307Ла

Материал	GaAIAs
Цвет свечения	Красный
Длина волны,нм
Минимальная сила света Iv мин.,мКд
Максимальная сила света Iv макс.,мКд
при токе Iпр.,мА
Видимый телесный угол,град
Цвет линзы	Красный
Форма линзы	Круглая

 

 

Выбор микросхем

 

Интегра́льная (микро)схе́ма — электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковом кристалле (или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки.

На сегодняшний день большая часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа.

Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС,чипом) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате).

Микросхемы подразделяются:

малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле,

средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле,

большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле,

сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле,

ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле,

гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.