Классификация конденсаторов12
Таблица 6- Структурная схема транзистора КТ816А
Рисунок 4- Габаритные размеры транзистора КТ-27
Выбор конденсаторов
Конденса́тор — двухполюсник с определённым значением ёмкости и малой омической проводимостью; устройство для накопления заряда и энергии электрического поля. Конденсатор является пассивным электронным компонентом. Обычно состоит из двух электродов в форме пластин (называемых обкладками), разделённых диэлектриком, толщина которого мала по сравнению с размерами обкладок. Конденсаторы делятся на: постоянные, переменные, построечные. Исходными данными для выбора постоянных конденсаторов являются: номинальная величина емкости, указанная в схеме и допуск на её отклонение, назначение цепи, в которой устанавливается конденсатор, режим цепи, конструктивное оформление. Классификация конденсаторов Основная классификация конденсаторов проводится по типу диэлектрика в конденсаторе. Тип диэлектрика определяет основные электрические параметры конденсаторов: сопротивление изоляции, стабильность ёмкости, величину потерь и др. По виду диэлектрика различают: Конденсаторы вакуумные (обкладки без диэлектрика находятся в вакууме). Конденсаторы с газобразным диэлектриком. Конденсаторы с жидким диэлектриком. Конденсаторы с твёрдым неорганическим диэлектриком: стеклянные (стеклоэмалевые, стеклокерамические, стеклоплёночные), слюдяные, керамические тонкослойные из неорганических плёнок. Конденсаторы с твёрдым органическим диэлектриком: бумажные, металлобумажные, плёночные, комбинированные — бумажноплёночные, тонкослойные из органических синтетических плёнок. Электролитические и оксидно-полупроводниковые конденсаторы. Такие конденсаторы отличаются от всех прочих типов прежде всего своей огромной удельной ёмкостью. В качестве диэлектрика используется оксидный слой на металлическом аноде. Вторая обкладка (катод) — это или электролит (в электролитических конденсаторах), или слой полупроводника (в оксидно-полупроводниковых), нанесённый непосредственно на оксидный слой. Анод изготовляется, в зависимости от типа конденсатора, из алюминиевой, ниобиевой или танталовой фольги или спечённого порошка. Кроме того, конденсаторы различаются по возможности изменения своей ёмкости: Постоянные конденсаторы — основной класс конденсаторов, не меняющие своей ёмкости (кроме как в течение срока службы). Переменные конденсаторы — конденсаторы, которые допускают изменение ёмкости в процессе функционирования аппаратуры. Управление ёмкостью может осуществляться механически, электрическим напряжением (вариконды, варикапы) и температурой (термоконденсаторы). Применяются, например, в радиоприёмниках для перестройки частоты резонансного контура. Подстроечные конденсаторы — конденсаторы, ёмкость которых изменяется при разовой или периодической регулировке и не изменяется в процессе функционирования аппаратуры. Их используют для подстройки и выравнивания начальных ёмкостей сопрягаемых контуров, для периодической подстройки и регулировки цепей схем, где требуется незначительное изменение ёмкости. В зависимости от назначения можно условно разделить конденсаторы на конденсаторы общего и специального назначения. Конденсаторы общего назначения используются практически в большинстве видов и классов аппаратуры. Традиционно к ним относят наиболее распространённые низковольтные конденсаторы, к которым не предъявляются особые требования. Все остальные конденсаторы являются специальными. К ним относятся высоковольтные, импульсные, помехоподавляющие, дозиметрические, пусковые и другие конденсаторы. В данной схеме мы используем конденсатор К50-35 так как он обладает следующими преимуществами: высокая удельная емкость, позволяющая изготавливать конденсаторы емкостью свыше 1Ф, высокий максимально допустимый ток пульсации, высокая надежность.
Рисунок 5-Изображение конденсатора К50-35
Рисунок 6-Габаритные размеры конденсатора К50-35
Таблица 7-Технические параметры конденсатора К50-35
Таблица 8 - Размеры конденсатора К50-35
Обоснование выбора полупроводникового диода Диод представляет собой простейшую форму полупроводникового прибора. Полупроводниковые диоды – это приборы, основанные на различных свойствах p-n-перехода. Диоды изготавливаются в металлостеклянных, металлических, пластмассовых, метало – керамичемких корпусах. Типы диодов Диоды бывают электровакуумными (кенотроны), газонаполненными (газотроны, игнитроны, стабилитроны), полупроводниковыми и др. В настоящее время в подавляющем большинстве случаев применяются полупроводниковые диоды.
В данной схеме используется светодиод АЛ307Ла Выбор светодиода производится исходя из электрических параметров. Светодиоды подразделяются на два класса: светодиоды видимого излучения; светодиоды невидимого излучения (инфракрасного). В данном случае светодиод сигнализирует нагревание прибора и поэтому следует выбирать светодиоды видимого излучения. Существуют множество светодиодов красного излучения, например: АЛ102А, АЛ307ГМ. Лучше всего выбирать АЛ307Ла, так как у них малая потребляемая мощность, а мощность излучения большая, работают они от маленького уровня напряжения.
Рисунок 7-Изображение светодиода АЛ307Ла
Таблица 9- Технические параметры светодиода АЛ307Ла
Выбор микросхем
Интегра́льная (микро)схе́ма — электронная схема произвольной сложности, изготовленная на полупроводниковом кристалле (или плёнке) и помещённая в неразборный корпус, или без такового, в случае вхождения в состав микросборки. На сегодняшний день большая часть микросхем изготавливается в корпусах для поверхностного монтажа. Часто под интегральной схемой (ИС) понимают собственно кристалл или плёнку с электронной схемой, а под микросхемой (МС,чипом) — ИС, заключённую в корпус. В то же время выражение чип-компоненты означает «компоненты для поверхностного монтажа» (в отличие от компонентов для пайки в отверстия на плате). Микросхемы подразделяются: малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле, средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле, большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле, сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле, ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле, гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле. 12
|
