Вольт- амперная характеристика

 

При достаточно большом R_э (в пределе R_э = ¥) приращения обоих эмиттерных токов будут Di_э1 = -Di_э2 (см. рис.2), и можно считать, что ответвление части тока Di в сопротивление R_э ничтожно мало. А постоянная составляющая через R_э будет равна сумме эмиттерных токов:

 

,

 

при этом их разность (i_э1 + Di_э1) – (i_э1 - Di_э2) = - 2Di_э1 =2Di_э2. Относительное же приращение коллекторного тока будет равно:

 

(7)

 

Как обычно эмиттерный ток выразим экспоненциальной функцией напряжения база – эмиттер U_бэ:

 

(8)

 

Напряжение база- эмиттер первого транзистора U_бэ1=U_вх1–U_э, а второго транзистора U_бэ2 = U_вх2 – U_э. При симметрии схемы

 

U_бэ1 =

U_бэ2 = ,

 

где U_d =U_вх1 - U_вх2 – дифференциальное напряжение. Подставляя эти значения в (8) получим эмиттерные токи i_э1 и i_э2. Подставляя их в (7), имеем:

(9)

 

При изменении аргумента от -¥ до +¥ гиперболический тангенс изменяется от –1 до +1. Поэтому Di_к1, изменяется от до , где I₀ - сумма эмиттерных токов.

Из выражения (9) следует, что ДК можно использовать в качестве амплитудного ограничителя. Например, при U_d = 4j_Т» 0,1 В; Di_к1 =0,96 . Следовательно, при амплитуде разностого сигнала, равной примерно 0,1 В, происходит ограничение амплитуды выходного тока. При U_d £ j_Т, и Di_к1 . Т.е. при разностных сигналах, меньших 25 мB, имеет место линейная зависимость приращения коллекторного тока от разностного (дифференциального) напряжения. Кроме того, ДК можно использовать в качестве регулируемого каскада, усиление которого изменяется при изменении I₀.