Вольт- амперная характеристика
При достаточно большом Rэ (в пределе Rэ = ¥) приращения обоих эмиттерных токов будут Diэ1 = -Diэ2 (см. рис.2), и можно считать, что ответвление части тока Di в сопротивление Rэ ничтожно мало. А постоянная составляющая через Rэ будет равна сумме эмиттерных токов:
при этом их разность (iэ1 + Diэ1) – (iэ1 - Diэ2) = - 2Diэ1 =2Diэ2. Относительное же приращение коллекторного тока будет равно:
Как обычно эмиттерный ток выразим экспоненциальной функцией напряжения база – эмиттер Uбэ:
Напряжение база- эмиттер первого транзистора Uбэ1=Uвх1–Uэ, а второго транзистора Uбэ2 = Uвх2 – Uэ. При симметрии схемы
Uбэ1 = Uбэ2 =
где Ud =Uвх1 - Uвх2 – дифференциальное напряжение. Подставляя эти значения в (8) получим эмиттерные токи iэ1 и iэ2. Подставляя их в (7), имеем:
При изменении аргумента от -¥ до +¥ гиперболический тангенс изменяется от –1 до +1. Поэтому Diк1, изменяется от Из выражения (9) следует, что ДК можно использовать в качестве амплитудного ограничителя. Например, при Ud = 4jТ» 0,1 В; Diк1 =0,96
|
,
(7)
(8)
,
(9)
до 
, где I0 - сумма эмиттерных токов.
. Следовательно, при амплитуде разностого сигнала, равной примерно 0,1 В, происходит ограничение амплитуды выходного тока. При Ud £ jТ, 
и Diк1 
. Т.е. при разностных сигналах, меньших 25 мB, имеет место линейная зависимость приращения коллекторного тока от разностного (дифференциального) напряжения. Кроме того, ДК можно использовать в качестве регулируемого каскада, усиление которого изменяется при изменении I0.
