Транзисторларды схемаға ортақ эмиттермен қосу. Көрсеткіштері, сипаттамалары.

5.7.3 Ортақ эмиттерлі сұлба бойынша транзистордың негізгі параметрлері

Іс жүзінде транзисторды ортақ эмиттермен жалғау сұлбасы жиі қолданылады. Мұндай жалғау кезінде база кіріс электрод болып табылады, эмиттер жерге жалғанады (ортақ электрод), ал коллектор шығыс электрод болып табылады (сурет 5.5,б).Ортақ эмиттерлі сұлбада:

а) ток бойынша күшейту еселігі | U_кэ=const ондаған және жүздеген бірліктер. параметрі эмиттер тогының беріліс еселігімен келесі қатынас арқылы байланысады

; ;

б) кернеу бойынша күшейту еселігі, ,

өйткені R_ж>>R_кір, β>>;1, онда K_u>>;1 (жүздеген);

в) қуат бойынша күшейту еселігі - ондаған мыңдықтар;

г) кіріс кедергісі - жүздеген Ом және бірнеше кОм. Ортақ эмиттерлі сұлбаның кіріс кедергісі ортақ базалы сұлбаның кіріс кедергісінен үлкен;д) шығыс кедергісі ондаған кОм.

Осылайша, R _{шығ оэ} < R _{шығ об}, R _{кір оэ} > R_{кір об};

е) шығыс кернеудің фазалы ығысуы φ =π.

H – параметрлер.

Измерение h-параметров биполярных транзисторов.Для расчета и анализа устройств с биполярными транзисторами используется так называемые h-параметры транзистора, включение по схеме с ОЭ.

Электрическое состояние транзистора, включенного по схеме с ОЭ, характеризуется четырьмя величинами: Iб, Uбэ, Iк, Uкэ. Две из них можно считать независимыми, а две могут быть выражены через них. Из практических соображений в качестве независимых удобно выбрать величины Iб и Uкэ. Тогда

Uбэ=F1(Iб,Uкэ) (1.18)

Iк=F2(Iб,Uкэ) (1.19)