Билет №4

1. p-n -өткелінің(ауысуының) кернеуге тіке қосылысы. Жүретін токтар. Сыйымдылығы, өткізгіштігі. р-n ауысулы өрісті транзистор. Транзистордың бұл түрі бір ғана р-n ауысуынан турады. р-n ауысулы өрісті транзистордың қарапайым құрылысы 2,а-суретте келтірілген: негізгі n кремний кристалын екі жағынан р аймағы, яғни тиек (Т) (затвор) қапсыра қоршап тұр. Олардың ортасында орналасқан n аймағы канал деп аталады да, оның тізбегі жалғанған екі шетінің бірі-бастау (Б) (исток), екіншісі құйма (Қ) (сток) деп аталып, тоқтың шығу және жиналу көздерін көрсетеді.
р-n ауысулы өртістік транзистордың жұмыс істеу принципі мынадай. Тиекке теріс кернеу беретін болсақ (2, ә-сурет), онда кәдімгі р-n ауысуының кері қосылуындағыдай (р-n ауысуы) оның ені арта түседі. Ауысу ішінде жылжымалы заряд бөлшектерінің болмайтындығын ескере отырып, оны диэлектрикке балауға болады. Онда осы диэлектрик аймағы каналдың енін екі жағынан қусыра қыса түсіп, оның ток өткізу қабілетін азайтып, басқаша айтқанда, оның кедергісін арттырады. Сонымен біз тиек кернеуінің арқасында канал енін өзгерте отырып, бастаудан құймаға ағатын ток күшінің шамасын реттеуімізге, басқаруымызға болады. Транзистордың басқару принципінің мәні осында.

2. Туннельдік диодтар. Вольтамперлік сипаттамасы. Жұмысы. Туннельдік диод (Эсаки диоды) – ШӨ-диодтарының арасында оған тән кернеу бойынша оң кері байланысы және жақсы динамикалық қасиеттері бар болғандықтан ерекше орын алады. Туннельдік диодтың ВАС-ы дифференциалдық кедергінің теріс учаскесіне ие (СД). Бұл келесі жағдаймен түсіндіріледі. Жабу қабатының қалыңдығы өте жұқа болғанда (10...10 нм және одан да кіші) зарядтардың валенттік зонадан өткізгіштік зонаға туннельдік өтуі бақыланады. Өзінің осындай ВАС-ы арқасында туннельдік диод (ТД) тензобергіш ретінде кең қолданыс тапты. ТД әрекеті еркін заряд тасымалдаушылардың (электрондардың) квантмеханикалық туннельдеу процесінің арқасында тар потенциалдық тосқауыл арқылы өтуіне негізделген. Электрондардың тосқауылы арқылы туннельді өтіп кету ықтималдылығы айтарлықтай дәрежеде p-n өткелдегі кеңістіктік заряд аймағының енімен анықталатындықтан, ТД (вырожденные) айныған ШӨ-лер негізінде (қоспалар концентрациясы (10²⁵ – 10²⁷ м^-3) жасалынады

3. Күшейткіштердің көрсеткіштері. Күшейткіштердегі кері байланыс. Электр сигналын күшейту өндірістік электроникадада жиі кездеседі. Мұндай мәселелерді шешуде электронды күшейткіштер құрылғыларды қондырылады.Күшейткіштер бірнеше белгілері бойынша бөлінеді:күшейтетін элементтер түріне байланысты (шамды, транзисторлы).күшейтетін шамаға байланысты (кернеудің, токтың және қуаттың күші).каскадтың санына байланысты (біркаскадты, екікаскадты, көпкаскадты).

Кері байланыс дегеніміз–шыға берісіндегі пайдалы күшейтілген сигнал энергиясының бөлігі кірісіне берілген күшейткіштің шығуымен, кіруі арасындағы байланыс. Кері байланыстың оң және теріс түрлері бар. Оң кері байланысты генераторлы каскадта қолданылады, ал теріс кері байланысты жиі қолданылады.

Кері байланысты күшейткіштің жұмысының тұрақтандыруын арттыруда қолданылады, ол кезде кері байланыс пайдалы болады.Кері байланыс кері байланыс коэффицентімен сипатталад: ; U_шығ=U_с – U_кб