Расчетное задание

3.3.1 Построить на одном графике, как показано на рисунке 3.5, входныехарактеристики транзистора I_б = f(U_бэ) при фиксированных напряжениях на коллекторе: U_кэ = 0В, U_кэ = 5В и U_кэ = 10В (по данным из таблиц 3.1. и 3.2). По характеристикам определить графическим способом параметры h₁₁ и h₁₂ для области, расположенной на середине восходящего участка,

h₁₁ = ΔU_бэ / ΔI_б - входное дифференциальное сопротивление транзистора,

h₁₂ = ΔU_бэ / ΔU_кэ = ΔU_бэ¹/(10В-5В) - коэффициент внутренней обратной связи.

Рисунок 3.5. Рисунок 3.6.

 

3.3.2 Построить на одном графике семейство выходныххарактеристик транзистора I_к=f(U_кэ) при фиксированных токах базы по данным из таблицы 3.3. По характеристикам определить графическим способом параметры h₂₁ и h₂₂ для области, расположенной приблизительно в середине семейства характеристик, как показано на рисунке 3.6

h₂₂= ΔI_к / ΔU_кэ - выходная дифференциальная проводимость транзистора,

h₂₁ = ΔI_к¹/ ΔI_б = ΔI_к¹/(I_б¹¹¹-I_б¹¹) – коэффициент передачи тока базы.

Контрольные вопросы

3.4.1 Принцип действия биполярного транзистора, физические процессы в р-n переходах Э-Б и Б-К.

3.4.2 Почему коллекторный ток слабо зависит от коллекторного напряжения?

3.4.3 От чего коллекторный ток зависит сильно?

3.4.4 Какая величина является входной в схеме ОБ?

3.4.5 Какая величина является входной в схеме ОЭ?

3.4.6 Изобразить входные характеристики транзистора по схеме ОБ.

3.4.7 Изобразить выходные характеристики транзистора по схеме ОБ.

3.4.8 Изобразить входные характеристики транзистора по схеме ОЭ.

3.4.9 Изобразить выходные характеристики транзистора по схеме ОЭ.

3.4.10 В чём достоинства системы h- параметров транзистора как 4-х полюсника?

3.4.11 Как определяют графическим способом h -параметры транзистора по характеристикам?