Проверьте, как вы запомнили слова. 2.1.Переведите следующие слова, исходя из значений, приведенных в скобках:

2.1. Переведите следующие слова, исходя из значений, приведенных в скобках:

1. density n (плотность), dense a; 2. vulnerability n (уязви­мость), vulnerable a; 3. processibility n (обработка), process v; 4. intcrconnection n (взаимосвязь), connect v; 5. suitable а (пригодный), suit v; 6. contribution n (вклад), contribute v; 7. rectification n (выпрямление), rectify v; 8. amplification n (усиление), amplify v; 9. layer n (слой), lay v; 10. alternately adv (попеременно), alter v; 11. perfection n (совершенствование), per­fect v; 12. purity n (чистота), pure a;13. commercial а (имею­щийся в продаже), commerce n

 

2.2. Переведите следующие слова, исходя из значения их антонимов:

1. unstable a (stable a — устойчивый); 2. unconventional a (conventional а — обычный); 3. unlimited a (limited a — ограни­ченный); 4. uncontrolled a (controlled a — управляемый); 5. unsuitable a (suitable а — подходящий); 6. uncommon a (common a — обычный); 7. unlike a (like a — подобный); 8. impossible a (possible а — возможный); 9. imperfect a (perfect а — идеальный); 10. impurity n (purity n — чистота); 11. immo­bility n (mobility n — подвижность)

 

2.3. Определите значения английских слов, исходя из контекста:

1. новые материалы, которые exhibit другие характери­стики; 2. чем меньше dimension проводника, тем больше; 3. наблюдается delay по времени; 4. эти явления associated with с явлениями проводимости; 5. более высокий level ин­теграции; 6. to develop материал для новых схем; 7. полу­проводники обладают suitable свойствами для электронных приборов; 8. был сделан contribution в полупроводниковую физику; 9. процессы occurring в полупроводниках, показы­вают; 10. история развития может быть traced, начиная с 1947 года; 11. постепенно кремний gained favour над герма­нием.

 

2.4. Переведите глаголы, исходя из значений соответст­вующих существительных:

1. delay v (delay n — задержка); 2. level v (level n — уровень); 3. feature v (feature n — характеристика); 4. turn v (turn n — повот); trace v (trace n — след); 6. reason v (reason n — разум;

причина)

 

2.5. Переведите следующие слова. Обратите внимание на значения префиксов sutb—под, ниже, super-, over-— сверх, выше, under- — выше и semi- — полу:

sub-: subdivision n, substructure n, subcommittee n

super-: superheat n, superstructure n, supernatural a, superfast a

over-: overgrow v, overwork v, overheat v

under-: underproduce v, undergrow v, undercoat v, undercut­ting n

semi-: semiconductor n, semicircle n, semiannual a

 

Обсудите содержание текста.

2.6. Просмотрите текст еще раз (I часть). Ответьте на вопросы, используя информацию текста.

1. What would you say about the steady reduction of IC fea­ture sizes? 2. What has allowed the integration of more and more devices on the same chip? 3. What does higher integration level allow? 4. What are the dominant factors limiting device perfor­mance? 5. What limits the design of any machine? 6. Who has made a great contribution to the study of semiconductor physics? 7. What would you say about polycrystalline materials? 8. What is essential foundation for semiconductor products?

 

2.7. Обобщите информацию, данную в тексте. Расска­жите, что вы узнали о полупроводниках; об ученых, рабо­тающих в области полупроводниковых материалов; о кремнии и германии.

 

2.8. Просмотрите вторую часть (П) текста. Сообщите, что вы узнали о:

1. dominant role of silicon as a material; 2. silicon dioxide; 3. a film of silicon; 4. a non-water soluble oxide; 5. presence of oxygen in silicon; 6. silicon wafer; 7. point-defects concentrations; 8. gal­lium arsenide

 

Проверьте, умеете ли вы переводить определительные блоки указанных типов.

1) Блок типа N + V_ed/₃ f_orm

1. The state of art influenced by the development of...

2. The prediction followed by the change of the pattern...

3. The event faced by the designers...

4. The wire joined completes...

 

2) Блок типа N + V_ed/₃ f_orm + prp

1. The capability relied upon is reached...

2. The technique referred to in the paper responds...

3. The benefit called for can be achieved...

4. The array thought of points out that...

 

3) Блок типа N + V_to

1. The concept to be referred to evolves...

2. The point to be reached exceeds...

3. The mode to be considered stems from...

4. The reliability to be achieved reaches...

 

4) Блок типа А + enough + Vt_O

1. The impetus strong enough to give rise to...

2. The shift large enough to be considered...

3. The vehicle heavy enough to handle...

4. The shrink small enough not to be considered

 

5) Блок типа Num + (N) +A

1. The shrink 5 cm long is marked...

2. The unit 4 m high...

3. The film.1 mm thick...

 

6)Блок типа N +А типа available

1. Improvement available is...

2. Performance necessary can...

3. Chip area present is...

4. Technology similar to the previous one is...

5. The shift possible is used...

 

7) Блок типа N + in/under + N

1. The prediction in question gives...

2. The event under consideration shows...

3. The vehicle in operation reaches...

4. The pattern in use marks...

5. The chip under development provides...

8) Блок типа N + V_ing (+ N²)

1. The wire linking the ends was...

2. The wire being linked completes...

3. The benefit predicting the result fits... The benefit being predicted is...

4. The reliability concerning the device points... The reliability being concerned stems from...

 

9) Блок типа N + V_ed/₃ f_orm

1.The dimension required is responsible for... The dimension required the shift of...

2. The concept produced fits... The concept produced an impetus...

3. The response achieved is... The response achieved the value of...

 

2.9. Найдите существительные с левым определением. Определите их функцию в предложении и переведите:

1. The high level of control of film thickness and resistivity uniformity required has led to the study of the kinetics of the de­position. 2. Time delay associated with the interconnection is de­pendent on two parameters. 3. The markedly different growth rate observed implies that gas phase equilibrium is not established.

 

2.10. Найдите и переведите речевые отрезки, в которых слова one(s) и that, those являются заместителями сущест­вительного.

one, ones: 1. one or more units; 2. one more unit; 3. one more advantage; 4. one or more advantages; 5. one single crystal; 6. one of the benefits; 7. not a static field but a dynamic one; 8. not a special acceptor but a common one; 8. one may make an effort; 9. one can predict; 10. complete ones; 11. applicable ones

that, those: 1. is like that of a substrate; 2. is much more than that produced recently; 3. is lower than that provided by a new technique; 4. are more beneficial than those of new pattern