Включенного с общим эмиттером

 

 

Цель работы – снятия и анализ входных и выходных характеристик транзистора, включенного с ОЭ; определение по ним его h -параметров (рис.10).

Пояснения. Входные характеристики транзистора при включении с ОЭ являются зависимости тока базы от напряжения между ней и эмиттером при постоянных напряжениях на коллекторе (рис.11, а): I_Б=¦(U_БЭ) при U_КЭ=const.

Выходные характеристики (рис.11, б) представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между ним и эмиттером при постоянных токах базы: I_Б=¦(U_КЭ) при I_Б = const.

В режиме усиления малых сигналов транзистор, включенный с ОЭ, эквивалентно представляют в виде линейного четырехполюсника (рис.12), входные и выходные параметры которого связаны со следующими уравнениями:

Для схемы с ОЭ h-параметры рассчитывают по формулам:

 

 

Для определения h_11Э проводят рабочую точку А (р.т.) касательную к входной характеристике и строят треугольник ВСD (рис.13, а). Тогда, согласно формуле (7), получим:

Для определения h_12Э выбирают две входные характеристики, снятые при двух значениях напряжений между коллектором и эмиттером (рис.13, б), и проводят через А (р.т.) линию I_Б=const, соответствующую холостому ходу на входе транзистора. Затем точки пересечения этой линии с характеристиками проецируют на ось UБЭ, определяют DU_КЭ= U_КЭ2 – U_КЭ1, находят DU_БЭ и рассчитывают h_12Э по формуле (8).

Для определения h21Э семейство выходных характеристик вблизи А (р.т.) пересекают линией UКЭ=const (рис.13, в), что соответствует короткому замыканию на выходе транзистора. Затем по формуле (9) рассчитывают h21Э, определив графически DIК и DIБ как разность (IБ2 – IБ1).

Для определения h22Э выбирают из семейства выходную характеристику, снятую при IБ.Р.Т. Находят приращение тока коллектора DIК, вызванное приращением напряжения DUКЭ на нем при постоянном токе базы (рис.13, г), и по формуле (10) рассчитывают h22Э.

Рабочая точка транзистора в схеме с ОЭ характеризуется следующими параметрами: IБ.Р.Т., UБЭ.Р.Т., IК.Р.Т. и UКЭ.Р.Т.