Методические указания. 1. При выполнении п. 4 используют:

1. При выполнении п. 4 используют:

— генератор тока стенда;

— АВМ1 на пределе измерения «10 мА»;

— АВМ2 на пределе измерения «1 В»; — туннельный диод АИ301Г (или обращенный АИ402Г).

2. Высокое выходное сопротивление ГТ не позволяет снимать падающий участок ВАХ туннельного диода, по­этому прямую ветвь ВАХ снимают в такой последова­тельности:

осторожно увеличивают от нуля ток ГТ, следя за по­казаниями прибора PV1. При достижении пика ВАХ происходит скачкообразный переброс стрелки этого при­бора, определяемый разностью напряжений т. е. диод оказывается в режиме, соответствующем диф­фузионной ветви ВАХ;

осторожно снижают ток ГТ, следя за показаниями прибора PV1. При токе I _в происходит обратный переброс стрелки, т. е. диод оказывается в режиме, соответствую­щем первой восходящей ветви ВАХ.

Эти операции выполняют несколько раз, уточняя па­раметры туннельного диода в точках пика и впадины его ВАХ. При построении ВАХ точки пика и впадины следует соединить пунктирной линией.

3. При выполнении п. 5 в качестве используют генератор ГН1 стенда, на выходе которого перед изме­рениями устанавливают по ИВ стенда нулевое напряже­ние (переключатель ИВ следует перевести в положение «ГН1 1 В»). Остальные приборы те же, что и при вы­полнении п. 4.

4. Вольт-амперную характеристику обращенного дио­да снимают аналогично.

Контрольные вопросы

1. Из каких полупроводниковых материалов изготовляют тун­нельные и обращенные диоды?

2. В чем состоит туннельный эффект? При каких условиях возникают прямой и обратный туннель­ные токи?

3. Каков физический смысл отрицательного сопротивления?

4. Чем туннельный диод отличается от обращенного?