Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Электронная Оже-спектроскопия





В результате рассеяния первичных электронов в нанослое формируется распределение электронов по энергиям (рис. 2.22), в том числе и Оже-электронов, энергетические спектры которых характеризуют элементный состав вещества.

Рис. 2.22. Распределение рассеянных электронов по энергиям. 1 – энергия вторичных электронов, 2 – Оже-электроны, 3, 4, 5 – характеристические потери энергии, 6 – плазменные колебания, 7 – упруго рассеянные электроны.

 

Метод электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) имеет приоритетное значение для исследования элементного состава нанообъектов, так как сигнал выделяется из слоя в пределах ~ 2 нм.. В основе ЭОС лежит Оже-эффект (рис 2.23), который проявляется в результате ионизации одной из внутренних оболочек атомов под действием первичного электронного пучка 1.

 

 

Рис 2.23. Схема Оже-процесса. 1) Выбивание первичным электроном 1 отраженного электрона 3 из уровня K с образованием вакансии 2; 2) Переход электрона 4 с уровня L на вакансию уровня K с освобождении энергии; 3) Образование за счет освобожденной энергии Оже-электрона 6, выбитого в вакуум из уровня 5 валентной зоны V или (и) рентгеновского кванта 7.

 

Результатом воздействия первичного пучка является выбивание электрона из внутренней орбитали атома (например, К). На освободившееся место перемещается электрон с верхней орбитали (например, L). Это сопровождается уменьшением энергии системы, которая:

- для тяжелых атомов (Z >45) с вероятностью больше 50% выделяется в виде характеристического рентгеновского излучения

h n = Wk - WL,

- для более легких элементов расходуется на выбивание электрона в вакуум из вышележащих уровней или валентной зоны (Оже-процесс).

Этот Оже-электрон испускается в вакуум с энергией

WA ~ Wk - WL – WV

Рассмотренный Оже-переход описывают как KLV. Вероятность генерации Оже-электронов для легких элементов составляет приблизительно 95%, для элементов с Z > 70 - не превышает 10%.

Для каждого элемента существует характерный набор энергий Оже-электронов, хранящийся в базах Оже-спектров. Это позволяет производить как качественный, так и количественный анализ элементов в поверхностном нанослое. Энергии Оже-электронов (20 - 2000 эВ) соответствуют энергиям электронов в атомах, поэтому многие Оже-электроны не достигают поверхности, теряя энергию при столкновениях с атомами, что уменьшает длину свободного пробега электронов. Поэтому вклад в Оже-спектр вносят те электроны, которые возбуждены вблизи поверхности на расстоянии меньшем средней длины свободного пробега (~2нм для всех значений энергий оже-электронов). Этим обусловлена высокая поверхностная чувствительность метода.

Спектроскопия характеристических потерь энергии первичных медленных электронов. Метод характеристических потерь энергии основан на регистрации и анализе дискретных потерь энергии первичного пучка электронов, вызванных:

- ионизацией атомов, при которой первичный электрон выбивает из внутренней орбитали атома электрон,

- одночастичными возбуждениями, при которой возбуждаются электроны орбиталей, близких к валентной зоне и валентной зоны,

- возбуждением коллективных колебаний свободного электронного газа (плазмонов) в поверхностном слое,

- колебаниями атомов, в которых участвуют атомы решетки и поверхностные атомы.

Плазмонная спектроскопия характеристических потерь энергии. В результате воздействия электронов (или электромагнитного излучения) происходит возбуждение свободных электронов электронного газа.

Спектроскопия пороговых потенциалов. Воздействие медленных электронов на поверхность нанообъекта приводит также к появлению рентгеновского излучения. Метод пороговых потенциалов позволяет измерять энергию первичного пучка, при которой возникает резкое увеличение интенсивности мягкого рентгеновского излучения тормозного, обусловленного электрон-электронным столкновением в валентной зоне и взаимодействием с ядром атома, а также характеристического, вызванного выбиванием электрона с орбиталей атомов. Так как энергия первичных электронов мала (до 1000эВ), то в процессы вовлекаются частицы, находящиеся на глубине до 1 нм, что соответствует размерам нанобъектов.

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 1177. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Расчетные и графические задания Равновесный объем - это объем, определяемый равенством спроса и предложения...


Кардиналистский и ординалистский подходы Кардиналистский (количественный подход) к анализу полезности основан на представлении о возможности измерения различных благ в условных единицах полезности...


Обзор компонентов Multisim Компоненты – это основа любой схемы, это все элементы, из которых она состоит. Multisim оперирует с двумя категориями...


Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Оценка качества Анализ документации. Имеющийся рецепт, паспорт письменного контроля и номер лекарственной формы соответствуют друг другу. Ингредиенты совместимы, расчеты сделаны верно, паспорт письменного контроля выписан верно. Правильность упаковки и оформления....

БИОХИМИЯ ТКАНЕЙ ЗУБА В составе зуба выделяют минерализованные и неминерализованные ткани...

Типология суицида. Феномен суицида (самоубийство или попытка самоубийства) чаще всего связывается с представлением о психологическом кризисе личности...

Понятие о синдроме нарушения бронхиальной проходимости и его клинические проявления Синдром нарушения бронхиальной проходимости (бронхообструктивный синдром) – это патологическое состояние...

Опухоли яичников в детском и подростковом возрасте Опухоли яичников занимают первое место в структуре опухолей половой системы у девочек и встречаются в возрасте 10 – 16 лет и в период полового созревания...

Способы тактических действий при проведении специальных операций Специальные операции проводятся с применением следующих основных тактических способов действий: охрана...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.012 сек.) русская версия | украинская версия