Студопедия — Электронная Оже-спектроскопия
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Электронная Оже-спектроскопия






В результате рассеяния первичных электронов в нанослое формируется распределение электронов по энергиям (рис. 2.22), в том числе и Оже-электронов, энергетические спектры которых характеризуют элементный состав вещества.

Рис. 2.22. Распределение рассеянных электронов по энергиям. 1 – энергия вторичных электронов, 2 – Оже-электроны, 3, 4, 5 – характеристические потери энергии, 6 – плазменные колебания, 7 – упруго рассеянные электроны.

 

Метод электронной Оже-спектроскопии (ЭОС) имеет приоритетное значение для исследования элементного состава нанообъектов, так как сигнал выделяется из слоя в пределах ~ 2 нм.. В основе ЭОС лежит Оже-эффект (рис 2.23), который проявляется в результате ионизации одной из внутренних оболочек атомов под действием первичного электронного пучка 1.

 

 

Рис 2.23. Схема Оже-процесса. 1) Выбивание первичным электроном 1 отраженного электрона 3 из уровня K с образованием вакансии 2; 2) Переход электрона 4 с уровня L на вакансию уровня K с освобождении энергии; 3) Образование за счет освобожденной энергии Оже-электрона 6, выбитого в вакуум из уровня 5 валентной зоны V или (и) рентгеновского кванта 7.

 

Результатом воздействия первичного пучка является выбивание электрона из внутренней орбитали атома (например, К). На освободившееся место перемещается электрон с верхней орбитали (например, L). Это сопровождается уменьшением энергии системы, которая:

- для тяжелых атомов (Z >45) с вероятностью больше 50% выделяется в виде характеристического рентгеновского излучения

h n = Wk - WL,

- для более легких элементов расходуется на выбивание электрона в вакуум из вышележащих уровней или валентной зоны (Оже-процесс).

Этот Оже-электрон испускается в вакуум с энергией

WA ~ Wk - WL – WV

Рассмотренный Оже-переход описывают как KLV. Вероятность генерации Оже-электронов для легких элементов составляет приблизительно 95%, для элементов с Z > 70 - не превышает 10%.

Для каждого элемента существует характерный набор энергий Оже-электронов, хранящийся в базах Оже-спектров. Это позволяет производить как качественный, так и количественный анализ элементов в поверхностном нанослое. Энергии Оже-электронов (20 - 2000 эВ) соответствуют энергиям электронов в атомах, поэтому многие Оже-электроны не достигают поверхности, теряя энергию при столкновениях с атомами, что уменьшает длину свободного пробега электронов. Поэтому вклад в Оже-спектр вносят те электроны, которые возбуждены вблизи поверхности на расстоянии меньшем средней длины свободного пробега (~2нм для всех значений энергий оже-электронов). Этим обусловлена высокая поверхностная чувствительность метода.

Спектроскопия характеристических потерь энергии первичных медленных электронов. Метод характеристических потерь энергии основан на регистрации и анализе дискретных потерь энергии первичного пучка электронов, вызванных:

- ионизацией атомов, при которой первичный электрон выбивает из внутренней орбитали атома электрон,

- одночастичными возбуждениями, при которой возбуждаются электроны орбиталей, близких к валентной зоне и валентной зоны,

- возбуждением коллективных колебаний свободного электронного газа (плазмонов) в поверхностном слое,

- колебаниями атомов, в которых участвуют атомы решетки и поверхностные атомы.

Плазмонная спектроскопия характеристических потерь энергии. В результате воздействия электронов (или электромагнитного излучения) происходит возбуждение свободных электронов электронного газа.

Спектроскопия пороговых потенциалов. Воздействие медленных электронов на поверхность нанообъекта приводит также к появлению рентгеновского излучения. Метод пороговых потенциалов позволяет измерять энергию первичного пучка, при которой возникает резкое увеличение интенсивности мягкого рентгеновского излучения тормозного, обусловленного электрон-электронным столкновением в валентной зоне и взаимодействием с ядром атома, а также характеристического, вызванного выбиванием электрона с орбиталей атомов. Так как энергия первичных электронов мала (до 1000эВ), то в процессы вовлекаются частицы, находящиеся на глубине до 1 нм, что соответствует размерам нанобъектов.

 







Дата добавления: 2015-10-12; просмотров: 1125. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Шрифт зодчего Шрифт зодчего состоит из прописных (заглавных), строчных букв и цифр...

Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...

Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...

Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...

Понятие метода в психологии. Классификация методов психологии и их характеристика Метод – это путь, способ познания, посредством которого познается предмет науки (С...

ЛЕКАРСТВЕННЫЕ ФОРМЫ ДЛЯ ИНЪЕКЦИЙ К лекарственным формам для инъекций относятся водные, спиртовые и масляные растворы, суспензии, эмульсии, ново­галеновые препараты, жидкие органопрепараты и жидкие экс­тракты, а также порошки и таблетки для имплантации...

Тема 5. Организационная структура управления гостиницей 1. Виды организационно – управленческих структур. 2. Организационно – управленческая структура современного ТГК...

Именные части речи, их общие и отличительные признаки Именные части речи в русском языке — это имя существительное, имя прилагательное, имя числительное, местоимение...

Интуитивное мышление Мышление — это пси­хический процесс, обеспечивающий познание сущности предме­тов и явлений и самого субъекта...

Объект, субъект, предмет, цели и задачи управления персоналом Социальная система организации делится на две основные подсистемы: управляющую и управляемую...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия