Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для герметизации
Содержание Содержание. 4 Введение. 5 1.Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для герметизации 6 1.1 Общие сведения о полевых транзисторах и история их создания. 6 1.2 Материалы деталей для корпусов полевых транзисторов. 12 1.3 Характеристики методов герметизации транзисторов. 15 1.4 Оборудование для герметизации изделий электронной техники. 42 2.Назначение и работа автомата герметизации транзисторов. 44 2.1 Назначение и техническая характеристика установки. 44 2.2 Описание установки напрессовки клея на крышку полевого транзистора 46 2.3 Устройство и работа установки. 47 3. Расчет вибробункера автомата герметизации транзисторов. 52 3.1 Расчет производительности установки по графу передач. 52 3.2 Расчет вибробункера. 53 4. Технология изготовления детали. 58 4.1 Описание конструкции детали и условие ее работы в механизме. 58 4.2 Технические условия на изготовление детали. 59 4.3 Определение типа производства. 59 4.4 Анализ технологичности. 65 4.5 Выбор метода получения заготовки и его технико-экономическое обоснование 65 4.6 Расчет припусков на механическую обработку. 69 4.7 Расчет режимов резания. 73 4.8 Выбор и расчет приспособлений. 88 5. Организационно-технический расчет. 89 5.1 Технико-экономическое обоснование эффективности проектируемого варианта 90 5.2Оценка конкурентноспособности. 104 6. Охрана труда и окружающей среды.. 111 Заключение. 121 Список использованных источников. 122 Приложение 1. 124
Развитие технологии микроэлектроники в последние десятилетия в направление увеличения функциональной сложности, степени интеграции и быстродействия интегральной схемы, габаритов кристаллов рассеиваемой ими мощности при неизменно высоком уровне требований к надежности схем сопровождается возрастанием трудностей сборки и герметизации ИС, преодоление которых требует создания разнообразных конструкций типов корпусов. Корпус служит для защиты полупроводникового кристалла от различных факторов окружающей среды, включая повышенную влажность, механические нагрузки, электромагнитные излучения, воздействие агрессивных химических веществ и т.д. Он должен обеспечивать коммутацию электрических сигналов и подвод электропитания к кристаллу, отвод выделяемого им тепла, допускать проверку электрических параметров схемы и применение высокопроизводительных, в том числе автоматизированных, процессов сборки ИС и их монтажа в аппаратуру. Корпус должен сохранять ее работоспособность при повышенных (до398 К и более) и пониженных (до 213 К) температурах. Такие разнообразные функции корпусов довольно жестко регламентируют номенклатуру используемых материалов, а также основные конструктивно-технологические решения, которые лежат в основе их классификации.
Исследование полевых транзисторов и анализ оборудования для герметизации
|
