Предельные я характеризующие параметры силовых полупроводниковых диодов

Этот же подход применяют и в схемах с многополюсными элементами, но там не удаётся ввести только одно сопротивление, т. к. Ч. П. характеризуются четырьмя коэффициентами уравнений. Но можно найти эти коэффициенты для малых переменных составляющих токов и напряжений.

ЭТП

Предельные я характеризующие параметры силовых полупроводниковых диодов

Предельные параметры - это численные показатели, превышение которых может привести к повреждению диода.

Для проводящего направления устанавливаются следующие параметры:

1) Максимальное значение среднего прямого тока I_FAVm - это максимальное допустимое значение прямого тока, длительно протекающего через диод. Определяется при заданной температуре корпуса, при этом полупроводниковая структура не должна нагреваться выше значения T_jmax. Током I_FAVm определяется тип диода.

2)Предельный ударный неповторяющийся прямой ток определяет допустимое значение одиночного импульса прямого тока синусоидальной формы длительностью 10 мс в аварийном режиме.

3) Максимальная переходная температура p-n перехода

Для непроводящего направления основными предельными параметрами являются:

1) Пробивное напряжение U_BR превышение которого приводит к пробою.

2) Рабочее напряжение U_P, повторяющееся перенапряжение U_П, возникающее не реже частоты питающей цепи и неповторяющееся перенапряжение U_НП, возникающее редко (при грозовых явлениях). Импульсное обратное повторяющееся напряжение U_RRM @ 0,75 U_BR. По его величине все диоды делятся на классы.

3) Импульсное обратное неповторяющееся напряжение U_RSM.

4) Импульсное обратное рабочее напряжение U_RWM.

Характеризующие параметры - это значения параметра, отражающие определенные свойства диода и влияющие на нагрузочные и перегрузочные возможности.

Основными характеризующими параметрами для проводящего направления являются:

1) Пороговое напряжение U_ТО численно определяется по оси U_F, проведя касательную к линейному участку ВАХ.

2) Максимальное прямое напряжение U_FM при токе I_F =3,14 I_FAVm.

3) Динамическое (дифференциальное) сопротивление r_T в проводящем направлении определяется на прямолинейном участке ВАХ из характеристического треугольника r_T=∆U_F/∆I_F.

Основным характеризующим параметром для непроводящего направления является повторяющийся импульсный обратный ток I_RRM при напряжении U_RRM

Кроме этого характеризующими параметрами для диодов является: заряд восстановления Q_п, время обратного восстановления t_гт, тепловое сопротивление "переход-корпус" R_thic.