Эпитаксия.

Эпитаксия – это специфический процесс, относящийся к формированию или росту монокристалла поверх монокристаллической подложки или зерна. Эпитаксиальный рост разделяют на гомоэпитаксиальный и гетероэпитаксиальный. В начало

Гомоэпитаксиальный рост происходит на подложке, которая состоит из того же материала, что и пленка. Гетероэпитаксиальный рост обычно используется для того чтобы вырастить более качественную пленку, или ввести в выращиваемую пленку легирующую смесь. Между этими двумя видами пленок существует одно очевидное различие. Это соответствие пленок между пленками и подложками. При гомоэпитаксиальном росте несоответствия между пленкой и подложкой нет. Напротив, при гетероэпитаксиальном росте несоответствие между пленкой и подложкой наблюдается. Решеткой, несочетающуюся с подложкой и пленкой и иногда называют неудачной и вычисляют по выражению:

(7)

Где a_s и a_f – постоянные ненапряженных пространственных решеток подложки и пленки, соответственно. Если f > 0, пленка находится в напряженном состоянии растяжением, если f < 0, пленка находится в состоянии сжатия.
Энергия напряжения Е_s, образующаяся в напряженной пленке, равна:

(8)

Где m_f - модуль сдвига пленки, n - коэффициент Пуассона, e - плоскостное или поперечное напряжения, h - толщина пленки, А – площадь поверхности.

 

В начало

Термодинамические и структурные особенности нанодисперсных сред.