Эпитаксия.
Эпитаксия – это специфический процесс, относящийся к формированию или росту монокристалла поверх монокристаллической подложки или зерна. Эпитаксиальный рост разделяют на гомоэпитаксиальный и гетероэпитаксиальный. В начало Гомоэпитаксиальный рост происходит на подложке, которая состоит из того же материала, что и пленка. Гетероэпитаксиальный рост обычно используется для того чтобы вырастить более качественную пленку, или ввести в выращиваемую пленку легирующую смесь. Между этими двумя видами пленок существует одно очевидное различие. Это соответствие пленок между пленками и подложками. При гомоэпитаксиальном росте несоответствия между пленкой и подложкой нет. Напротив, при гетероэпитаксиальном росте несоответствие между пленкой и подложкой наблюдается. Решеткой, несочетающуюся с подложкой и пленкой и иногда называют неудачной и вычисляют по выражению:
Где as и af – постоянные ненапряженных пространственных решеток подложки и пленки, соответственно. Если f > 0, пленка находится в напряженном состоянии растяжением, если f < 0, пленка находится в состоянии сжатия.
Где mf - модуль сдвига пленки, n - коэффициент Пуассона, e - плоскостное или поперечное напряжения, h - толщина пленки, А – площадь поверхности.
В начало Термодинамические и структурные особенности нанодисперсных сред.
|
(7)
(8)
