Студопедия — Стислі теоретичні відомості. Напівпровідникові діоди ефективно використовують і у зворотному увімкненні
Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Стислі теоретичні відомості. Напівпровідникові діоди ефективно використовують і у зворотному увімкненні






 

Напівпровідникові діоди ефективно використовують і у зворотному увімкненні. Коли зворотна напруга досягає визначеного критичного значення, струм діода починає різко збільшуватись. Це явище називають пробоєм діода. Розрізняють електричний та тепловий пробій. Тепловий пробій викликає руйнування приладу, електричний – використовують для побудови напівпровідникових діодів, зокрема, напівпровідникових стабілітронів. Існує два види електричного пробою, які нерідко супроводжують один одного: лавинний та тунельний.

Лавинний пробій пояснюється лавинним розмноженням носіїв за рахунок ударної іонізації та за рахунок виривання електронів із атомів сильним електричним полем. Цей пробій характерний для p-n переходів великої товщини і виникає при порівняно малій концентрації домішок в напівпровідниках. Напруга лавинного пробою складає десятки або сотні вольт.

Тунельний пробій пояснюється явищем тунельного ефекту. Він утворюється при сильному електричному полі напругою більшою ніж 10 В/см, яке діє в p-n переході невеликої товщини. При цьому деякі електрони проходять через перехід, не змінюючи своєї енергії. Тонкі переходи, в яких можливий тунельний ефект, отримують при високій концентрації домішок в напівпровідниках. Напруга, що відповідає тунельному пробою, зазвичай не перевищує одиниць вольт.

Вольт-амперна характеристика напівпровідникових діодів в області електричного пробою має ділянку, яка використовується для стабілізації напруги. Така ділянка у кремнієвих площинних діодів відповідає зміні зворотного струму в широких межах. До початку пробою зворотний струм дуже малий, а в режимі пробою, тобто в режимі стабілізації, він стає таким, як і прямий струм. В наш час випускають виключно кремнієві стабілітрони багатьох типів. Їх також називають опорними діодами, тому що стабільну напругу, яку від них отримують, у ряді випадків використовують як еталонну. На рис. 3.1, а дана типова ВАХ стабілітрона при зворотному струмі, яка показує, що в режимі стабілізації напруга змінюється мало. Характеристика прямого струму стабілітрона така ж, як і у звичайних діодів. У точці А, де пробій є достатньо стійкий, струм різко зростає, допустиме його значення I max обмежується лише допустимою потужністю розсіювання.

а б

Рис. 3.1. Типова вольт-амперна характеристика: а - стабілітрона;

б - схема параметричного стабілізатора

 

В сучасних стабілітронах I max коливається в межах від десятків міліампер до декількох ампер. Робоча напруга стабілітрона, яка є робочою напругою p-n переходу, залежить від концентрації домішок у p-n структурі та знаходиться в межах 4 – 200 В.

Для стабілізації малих напруг використовують кремнієві діоди при прямому увімкненні – стабістори. Наприклад, діоди Д219С, Д222С і Д223С забезпечують постійну пряму напругу 1 – 1,5 В (при прямому струмі 50 мА і температурі 25 ) [3, 4].

Відповідно до ГОСТ 10862-72 стабілітрони позначались за наступною системою. Перший елемент позначки - вихідний матеріал: К – кремній; другий – літера, яка характеризує підклас приладів: С – стабілітрони та стабістори. Третій елемент позначки визначає індекс потужності, четвертий – кодовану позначку номінальної напруги стабілізації, п'ятий – послідовність розробки (літери російського алфавіту від А до Я). Розшифровку третього та четвертого елементів позначки знаходять зазвичай за довідником. Приклад позначки: КС 168 А – стабілітрон напівпровідниковий, який призначений для пристроїв широкого використання, кремнієвий, потужністю не більшою ніж 0,3 Вт, з напругою стабілізації 6,8 В, послідовність розробки А [3, 4].

Напруга стабілітрона у робочому режимі мало залежить від струму, що є основою для використання цих приладів для побудови параметричних стабілізаторів напруги. На робочій ділянці характеристики (від I min до I max) залежність напруги стабілітрона від струму характеризується диференціальним опором:

Електрична схема параметричного стабілізатора зображена на рис. 3.1, б. Опір обмежуючого резистора R обм повинен бути значно більшим за диференціальний опір стабілітрона r ст. Чим більше відношення R обм / r ст, тим краща стабілізація напруги.

Напруги і струми у параметричному стабілізаторі зв'язані між собою наступними співвідношеннями (рис. 3.1, б):

При збільшенні вхідної напруги U вх повинна була б збільшитися і вихідна напруга U вх. Однак навіть незначне збільшення UZ призводить до різкого збільшення струму стабілітрона (рис. 3.1, а). В результаті чого збільшується I o і відповідно – спад напруги I o R обм, що компенсує збільшення U вх, а вихідна напруга залишається майже незмінною. При зменшенні вхідної напруги U вх струм I o зменшується, падіння напруги I o R обм зменшується, що також компенсує нестабільність U вх.

Якщо напруга джерела (вхідна напруга) нестабільна (змінюється від U min до U max) за умови, що опір навантаження R н – постійний, значення резистора R обм для середньої точки:

де U сер = 0,5(U min + U max) – середнє значення вхідної напруги; I сер = 0,5(I min + I max) – середній струм стабілітрона; – струм навантаження.

Другий можливий режим стабілізації використовують в тому випадку, коли U вх= const, а R н змінюється в межах R mi n R max. Як приклад розглянемо випадок, коли R н зменшується, тобто збільшувати. Тоді струм у нерозгалуженому колі зростає. При цьому спад напруги на обмежувальному резисторі R обм повинен був би збільшуватись, а на стабілітроні та навантаженні – зменшуватись. Зменшення напруги на стабілітроні викликає різке зменшення струму у ньому (рис. 3.1, а), внаслідок чого вхідний струм I o, падіння напруги I o R обм та напруга на навантаженні майже не змінюються. Таким чином ріст струму навантаження на ; автоматично приводить до спаду струму стабілітрона на ∆IZ. Причому ; ≈ – ∆ IZ, так що . Значення резистора R обм в цьому випадку можна визначити за середнім значенням струмів:

де I н.сер = 0,5(I н.min + I н. max), причому

.

Наведені формули дозволяють вибрати тип стабілітрона і розрахувати елементи параметричного стабілізатора за електричними параметрами та граничними експлуатаційними даними, які наведені у довідниках.

Якість роботи стабілізаторів напруги характеризується коефіцієнтом стабілізації , який дорівнює відношенню відносної зміни вхідної напруги до відносної зміни напруги на виході:

Коефіцієнт стабілізації параметричного стабілізатора досягає 20 – 50.

Експлуатаційними параметрами стабілітрона є: UZ – напруга стабілізації; ∆UZ ном – розкид значення напруги стабілізації; IZ min – мінімально допустимий струм стабілізації; r ст– диференціальний опір стабілітрона; – температурний коефіцієнт напруги стабілізації.

Література: [1, c.50-53]; [2, c. 17-19]; [3, с. 55-58]; [4, с. 92-94]; [14].

 







Дата добавления: 2015-09-19; просмотров: 613. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!



Композиция из абстрактных геометрических фигур Данная композиция состоит из линий, штриховки, абстрактных геометрических форм...

Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...

ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...

Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...

Механизм действия гормонов а) Цитозольный механизм действия гормонов. По цитозольному механизму действуют гормоны 1 группы...

Алгоритм выполнения манипуляции Приемы наружного акушерского исследования. Приемы Леопольда – Левицкого. Цель...

ИГРЫ НА ТАКТИЛЬНОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ Методические рекомендации по проведению игр на тактильное взаимодействие...

Виды и жанры театрализованных представлений   Проживание бронируется и оплачивается слушателями самостоятельно...

Что происходит при встрече с близнецовым пламенем   Если встреча с родственной душой может произойти достаточно спокойно – то встреча с близнецовым пламенем всегда подобна вспышке...

Реостаты и резисторы силовой цепи. Реостаты и резисторы силовой цепи. Резисторы и реостаты предназначены для ограничения тока в электрических цепях. В зависимости от назначения различают пусковые...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2024 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия