Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Электростатика. Диэлектрики





 

Примеры решения задач

 

23. По тонкому кольцу равномерно распределен заряд Q = 40 нКл с линейной плотностью = 50 нКл/м. Определить напряженность электрического поля, создаваемого этим зарядом в точке А, лежащей на оси кольца и удаленной от его центра на расстояние, равное половине радиуса.

Дано: Q = 40 нКл = Кл = 50 нКл/м = = Кл/м h =  

 

Напряженность поля, создаваемого этим зарядом

где – электрическая постоянная; – единичный вектор, направленный вдоль r. Разложим вектор на две составляющие: вдоль оси Z, и , перпендикулярную оси z,т.е.

.

Напряжённость электрического поля в точке А найдём интегрированием

,

где интегрирование ведется по всем элементам заряженного кольца. Заметим, что для каждой пары зарядов dQ и d , расположенных симметрично относительно центра кольца, векторы и , в точке А равны по модулю и противоположны по направлению = – , т.е компенсируют друг друга.

Составляющие для всех элементов кольца сонаправлены с осью z, т.е. = .

Тогда

Так как , ; , то

.

Таким образом .

Поскольку , то радиус кольца .

Тогда .

Значение напряженности на расстоянии z = h = R /2.

= 7000 В/м = 7,9 кВ/м

 

Ответ: Е = 7,9 кВ/м.

24. Электрическое поле создается бесконечным цилиндром радиусом R, равномерно заряженным с линейной плотность τ. Определите разность потенциалов между двумя точками этого поля, лежащими на расстоянии и от поверхности этого цилиндра. Решение

       
   

 


Дано R τ
φ1 – φ2 ?

 

Интегрирал по гауссовой поверности, верхности раскладываем на три интеграла: по верхнему и нижнему основаниям, по боковой поверхности. Интеграл по верхнему основанию , так как угол между вектором элементарной площадки и вектором равен π /2 и cos π /2 = 0. Аналогично для нижнего основания. Остается интеграл по боковой поверхности , здесь угол = 0, cos 0 = 1, значение напряженности Е на одном и том же расстоянии r одинаково, Е выносим за знак интеграла . В правой части теоремы Гаусса заряд, охватываемый гауссовой поверхностью . Таким образом, получаем

Для нахождения разности потенциалов воспользуемся связью напяженности и потенциала

.

Для случая радиальной симметрии, реализующейся у нас,

.

Интегрируя это выражение, получим

или

.

Ответ: .

25. Плоский конденсатор, между обкладками которого помещена стеклянная пластинка ( = 6) толщиной l = 2,00 мм, заряжен до напряжения U = 200 В (рис. 1). Пренебрегая величиной заряда между пластинкой и обкладками, найти а) поверхностную плотность свободных зарядов на обкладках конденсатора, а также б) поверхностную плотность связанных зарядов (зарядов поляризации) на стекле. Изобразить силовые линии электрического поля в стекле и воздушном зазоре между стеклом и обкладками.

Решение: Величину σ выразим через напряженность поля Е внутри конденсатора. Поскольку введение диэлектрика между его обкладками уменьшает эту напряженность поля в раз, используем формулу поля напряженности для плоского конденсатора = , с учетом наличиия диэлектрика  
Дано:

= 6,0

= 2,00 мм

U = 200 В

σ –? σ´ –? силовые линии Е

 

(1)

Отсюда, учитывая соотношение Е = , справедливое для однородного поля конденсатора, найдем:

(2)

Чтобы определить величину , воспользуемся формулой = (поверхностная плотность связанных зарядов равна проекции вектора поляризованности на внешнюю нормаль к поверхности диэлектрика). Так как вектор параллелен вектору напряженности поля в диэлектрике, направленному по нормали к поверхности стеклянной пластинки, то = . Учитывая соотношение = æ , где æ – диэлектрическая проницаемость среды и соотношение æ, получим:

æ (3)

Подставляя в формулы (2) и (3) величины в единицах СИ: U = 200 B, = 2,00 м, = 8.85 Ф/м, найдем:

= =

Чтобы изобразить силовые линии электрического поля в стекле и воздуш ном зазоре, надо помнить, что густота силовых линий пропорциональна напряженности поля, а диэлектрическая проницаемость среды показывает во сколько раз поле внутри диэлектрика слабее поля внутри зазора, следовательно густота силовых линий внутри стеклянной пластинки в шесть раз меньше, чем в зазоре (рис. 2).

Ответ: = =

 

26. Определить дивергенцию следующих векторных полей:

a) , где f(x) – некоторая функция декартовой координаты х;

b) , где – радиус-вектор точки, в которой определяется дивергенция.

Дано: а) ; b) Решение По определению . a) ; b) Выразим радиус-вектор через компоненты:
div -?

,

.

Ответ:а) ; b) div = 3.

ЗАДАЧИ ДЛЯ САМОСТОЯТЕЛЬНОГО РЕШЕНИЯ

3.1. Шар радиусом R заряжен однородно с объёмной плотностью r. Найти напряженность поля для точек внутри и вне шара.

(; )

3.2. Бесконечно тонкая прямая нить заряжена однородно с плотностью l. Найти напряженность электрического поля Е и потенциал j как функции расстояния r от нити. Потенциал на расстоянии r 0 положить равным нулю.

(E = (1/2pe0) l/ r; j = -(l/2pe0) ln (r / r 0))

 

3.3. Тонкий длинный стержень равномерно заряжен с линейной плотностью t = 1,5 нКл/см. На продолжении оси стержня на расстоянии d = 12 см от его конца находится точечный заряд Q = 0,20 мкКл. Определить силу взаимодействия заряженного стержня и точечного заряда.

(F = 2,2 мН)

3.4. По тонкому проволочному кольцу радиусом r = 60 мм равномерно распределен заряд q = 20 нКл.

а) приняв ось кольца за ось х, найти потенциал j и напряженность поля на оси кольца как функцию х (начало отсчета х поместить в центр кольца);

б) исследовать случаи х = 0 и ½ х ½>> r.

(E = (1/4pe0; j = (1/4pe0) )

3.5. Чему равен поток вектора через поверхность сферы, внутри объема которой находится:

а) заряд е;

б) заряд - е;

в) диполь с моментом ?

Объясните результат с помощью картины силовых линий электрического поля.

 

3.6. Металлический шар радиусом R помещен в однородное электрическое поле. Изобразите качественную картину силовых и эквипотенциальных линий электрического поля.

 

3.7. Два точечных заряда и - е расположены в точках с координатами (а /2,0,0), ( /2,0,0). Построить качественно график зависимости проекции напряженности поля Ех (х) для точек, лежащих на оси х (у = 0).

3.8. Найти зависимость плотности зарядов от декартовых координат ρ(x, y, z), при которой напряженность поля описывалась бы функцией (В/м).

(ρ(x, y, z) = Кл/м3)

 

3.9. Потенциал поля, создаваемого некоторой системой зарядов, имеет вид: j = a (x 2+ y 2)- bz 2, где а и b – положительные константы. Найти напряженность поля Е и ее модуль ½ Е ½. Построить графики зависимости Ex = f (x), Ez = f (z).

(E = ; )

3.10. Плоский воздушный конденсатор подключили к батарее, а затем отключили от неё. После этого уменьшим расстояние между пластинами конденсатора в 2 раза. Как изменится:

а) энергия, запасенная конденсатором;

б) заряд на обкладках конденсатора;

в) плотность энергии электрического поля конденсатора?

 

3.11. Диэлектрическая пластина шириной 2 а с проницаемостью e = 2 помещена в однородное электрическое поле напряженности Е, силовые линии которого перпендикулярны пластине.

а) изобразите на рисунке линии полей Е и D электрического поля;

б) постройте качественно графики зависимостей Ех, Dх от х (ось х перпендикулярна пластине, вектор Е направлен вдоль оси х, точка х = 0 находится в середине пластины).

 

3.12. Диэлектрическая пластинка с проницаемостью e = 2 помещена в однородное электрическое поле с напряженностью Е. Линии поля Е образуют некоторый угол j с поверхностью пластины. Изобразите качественно линии полей Е и D в вакууме и в пластине. Постройте качественно графики зависимостей Еx = f (x) и Dx = f (x).

 

3.13. Внутри плоской однородной диэлектрической пластины с e = 3 вектор напряженности однородного электрического поля составляет угол j с поверхностью пластины. Считая, что с одной стороны пластины вакуум, а с другой стороны диэлектрик с e = 2, изобразить качественно линии Е и D электрического поля в трех указанных средах. Построить качественно зависимости Еx = f (x) и Dx = f (x). Ось ОХ перпендикулярна поверхностям пластины, а ее толщина d.

 

3.14. Плоский воздушный конденсатор опустили в воду так, что поверхность воды параллельна плоскостям пластин, а ее уровень расположен на расстоянии h от нижней пластины. Найти зависимость электроемкости конденсатора от величины h, если площадь пластины S, а расстояние между ними d.

(С = )

3.15. Электрическое поле создается равномерно заряженным шаром радиусом R с объемной плотностью заряда r. Определить зависимость вектора электрического смещения электрического поля от r. Построить качественно график D = f (r).

(D = (1/3)r r; D = (r/3)×(R 3/ r 2))







Дата добавления: 2015-09-04; просмотров: 2030. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...


Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Объект, субъект, предмет, цели и задачи управления персоналом Социальная система организации делится на две основные подсистемы: управляющую и управляемую...

Законы Генри, Дальтона, Сеченова. Применение этих законов при лечении кессонной болезни, лечении в барокамере и исследовании электролитного состава крови Закон Генри: Количество газа, растворенного при данной температуре в определенном объеме жидкости, при равновесии прямо пропорциональны давлению газа...

Ганглиоблокаторы. Классификация. Механизм действия. Фармакодинамика. Применение.Побочные эфффекты Никотинчувствительные холинорецепторы (н-холинорецепторы) в основном локализованы на постсинаптических мембранах в синапсах скелетной мускулатуры...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2026 год . (0.016 сек.) русская версия | украинская версия