МЕТА РОБОТИ. Ознайомлення з моделями біполярного транзистора для малого сигналу.
Ознайомлення з моделями біполярного транзистора для малого сигналу.
4.2 ТЕОРЕТИЧНІ ВІДОМОСТІ
Для моделюванні транзисторів при роботі в режимі малого сигналу (лінійний режим) знаходить широке застосування гібридна П-образна малосигнальна модель, що має високу точність і є широкосмуговою. Для транзистора, включеного з ЗЕ, модель представлена на рис.4.1. Рисунок 4.1 – Малосигнальна модель транзистора
Компоненти моделі мають наступний сенс:
S - еквівалентна провідність (крутизна) залежного джерела струму, керованого напругою
Система рівнянь схеми на рис. 4.2, складена методом вузлових потенціалів, має наступний вигляд:
(4.2)
Тут
Рішення даної системи рівнянь методом Крамера за умови, що струми
де
По даних співвідношеннях визначаються функції даної схеми: - комплексний коефіцієнт підсилення по напрузі:
- вхідний комплексний опір:
Частотні властивості функції схеми характеризуються амплітудно-частотною характеристикою (АЧХ), фазо-частотною характеристикою (ФЧХ). Наприклад, коефіцієнт підсилення транзистора по напрузі характеризуется: - амплітудно-частотною характеристикою (АЧХ)
- фазо-частотною характеристикою (ФЧХ)
АЧХ – це залежність модуля комплексного коефіцієнта підсилення від частоти. ФЧХ – це залежність від частоти аргументу комплексного коефіцієнта підсилення.
|