ЛАБОРАТОРНЕ ЗАВДАННЯ. Завдання передбачає моделювання частотних характеристик коефіцієнта підсилення по напрузі і вхідного опору транзистора з ЗЕ

 

Завдання передбачає моделювання частотних характеристик коефіцієнта підсилення по напрузі і вхідного опору транзистора з ЗЕ. Варіанти завдань приведені в таблиці 4.1, де представлені параметри малосигнальної моделі транзистора.

 

Таблиця 4.1

№	S (мА/В)	(мСм)	(пФ)	(пФ)	№	S (мА/В)	(мСм)	(пФ)	(пФ)
		0,1					0,4
		0,12					0,42
		0,14					0,44
		0,16					0,46
		0,18					0,48
		0,2					0,5
		0,22					0,52
		0,24					0,54
		0,26					0,56
		0,28					0,58
		0,3					0,6
		0,32					0,62
		0,34					0,64
		0,36					0,66
		0,38					0,68

 

 

Додаткові дані: См, мСм, мкСм.

 

У роботі необхідно:

1. По співвідношенню (4.4), (4.6), (4.7) скласти програму для побудови в графічній формі АЧХ і ФЧХ коефіцієнта підсилення транзистора по напрузі. Графіки АЧХ побудувати у вигляді залежності і від частоти f. Визначити частоту , на якій модуль коефіцієнта підсилення приймає максимальне значення . Визначити нижню і вер­хню частоти смуги пропускання підсилювача, на яких ко­ефіцієнт підсилення зменшується до значення або на 3дБ. При побудові графіків діапазон зміни частоти узяти по рівню . Вісь частот представити в логарифмічному масш­табі.
2. Досліджувати вплив на частотні характеристики коефіцієнта підсилення зміни крутизни S, а також ємності . Побудувати графіки АЧХ при збільшувані в два рази крутизни і зменшенні в два рази ємності .
3. Скласти програму для розрахунку по співвідношенню (4.4) зна­чень вхідного комплексного опору на частотах , , с представленням результатів в алгебраічній та показній фор­мах:

 

,

 

 

При складанні програм можна використовувати символ на панелі інструментів Calculator для обчислення модуля комплексного числа, а на панелі інструментів Matrix для обчислення визначника матриці. Набір вбудованих операторів і функцій для роботи з триго­нометричними функціями і комплексними числами вказується у вікні вставки вбудованих функцій, які викликаються командою Function, що знаходиться в меню Insert, а також за допомогою кнопки f(x).

 

4.4 ЗМІСТ ЗВІТУ

 

1. Короткі теоретичні відомості, розрахункові формули, еквівален­тні схеми.

1. Графіки АЧХ і ФЧХ коефіцієнта посилення транзистора по на­прузі, причому АЧХ у вигляді залежностей і .
2. Значення частот , , . Значення коефіцієнта підсилення .
3. Графіки АЧХ при збільшенні крутизни S в 2 рази, зменшенні ємності в 2 рази.
4. Значення комплексного вхідного опору транзистора на частотах , , з представленням даних у алгебраічній та по­казовій формах.

6. Висновки по виконаній роботі.

 

4.5 КОНТРОЛЬНІ ПИТАННЯ

 

1. Намалюйте гібридну П-образну малосигнальну модель транзис­тора.

1. Яку фізичну суть мають параметри , , ?

Яку фізичну суть мають параметри , , ?

1. Яку фізичну суть має джерело струму, кероване напругою ?

4. Поясніть, як складена матриця провідності в рівнянні (1.12)?

5. Поясніть метод Крамера рі­шення лінійних алгебраі­чних рівнянь.

6. Поясніть, що таке АЧХ і ФЧХ?

7. Поясніть переклад комплексних чисел з алгебраїчної форми уя­влення в показову і навпаки?

8. Запишіть формулу для представлення коефіцієнта підсилення в дБ?

9. Складити формулу для коефіцієнта підсилення схеми.

10. Складити формулу для вхідного опору схеми.