Оптоелектроніка
Оптоелектроніка – галузь функціональної електроніки, в якій для запису, обробки, збереження, передачі та відображення інформації використовують взаємоперетворення електричних та оптичних сигналів,а також сполучення електронних та оптичних методів. Основною ознакою оптоелектроніки є наявність оптичного фотонного зв’язку, який забезпечує електрон-фотонне або фотон-електронне перетворення. Типовими оптоелектронними приладами та пристроями є оптрони, просторово-часові модулятори світла та рідкокристалічні монітори. Оптрони – це найпростіші оптоелектронні прилади, що перетворюють електричний сигнал в оптичний та оптичний – в електричний. Вони складаються зі джерела випромінювання, імерсійного середовища (світловода) і фотоприймача. Існує три основних типи оптронів: оптрон з внутрішнім оптичним зв’язком, з внутрішнім позитивним або негативним зворотнім електрооптичним зв’язком, з внутрішнім електричним зв’язком (рис. 3.5). У першому випадку між джерелом світла (наприклад, світло діодом СД) та фотоприймачем (фоторезистором RФ) відсутній електричний зв’язок. Коли до світлодіода прикладають вхідну напругу Uвх та через нього проходить струм iвх він випромінює світло з певною інтенсивністю та довжиною хвилі Jλ(Uвх, iвх). Світловий потік падає на фоторезистор, опір якого стримко зменшується. Внаслідок цього відбувається перерозподіл напруги від джерела U0: на фоторезисторі вона зменшується, а на вихідному, не чутливому до світла, резисторі навантаження RН – зростає. З цього резистора і знімають вихідну напругу Uвих (рис. 3.5, а). Перетворення сигналів відбувається за схемою: електричний сигнал – оптичний сигнал – електричний сигнал.
Основні переваги оптронів перед подібними суто напівпровідниковими приладами: гальванічний розв‘язок між входом та виходом; абсолютна захищеність каналу передачі інформації, носієм якої є електрично нейтральні фотони); швидкодія та широка полоса частот передачі інформації, які обумовлені високою частотою оптичних коливань. В оптронах використовують світлодіоди, які виготовляють зі сполук групи А III B V, найбільш перспективні з них GaAs та GaP зі спектральним діапазоном випромінювання (0,5 – 0,98 мкм). Крім світло діодів використовують також електролюмінісцентні конденсатори.
Світлодіоди з’єднують із фотоприймачами світловодами з полімерних органічних сполук (клеї, лаки), халькогенідних середовищ та волокон. Фотоприймачі для оптронів повинні володіти внутрішнім фотоефектом. Це не лише розглянуті вище фоторезистори, а й фотодіоди (з p-n- переходом, МДП структурой або бар’єром Шоттки), фотоелементи та фототранзистори. Фоторезисторы виготовляють, в основному, з полікристалічних напівпровідникових плівок на основі сполу Cd-S-Se).
Предмет, зображення якого потрібно записати, освітлюється He-Cd-лазером із довжиною хвилі λ = 0.44 мкм, до такого світла кристал Bi12SiO20 має найбільшу фоточутливість. Проекція зображення падає на передню поверхню кристала. Інтенсивність освітлення поверхні розподілена просторово- неоднорідно у відповідності до зображення. Так само просторово-неоднорідно збуджується фотопровідність та відбувається перерозподіл напруженості електричного поля Е. В освітлених ділянках опір, падіння напруги та напруженість Е зменшуються, в темних ділянках – навпаки зростають. На цьому етапі спрацьовує ефект Поккельса: у різних ділянках кристала пропорційно напруженості поля Е змінюється коефіцієнт заломлення на величину Δn(Е ). Розподіл Δn за поверхнею кристала просторово-неоднорідний у відповідності до розподілу освітлення у зображенні предмета. Цей розподіл деякий час не зникає після припинення освітлення і може бути прочитаним (просканованим) за допомогою He-Ne- лазера із довжиною хвилі λ = 0.66 мкм. До цього світла кристал Bi12SiO20 не чутливий. Світло He-Ne-лазера спрямовують на задню поверхню кристала, воно проходить крізь кристал та відбивається від передньої поверхні, покритої дихроїчною дзеркальною плівкою. Кут відбиття та інтенсивність світла на виході з кристалу залежать від напруженості поля Е та коефіцієнта заломлення у кожній точці кристала. Таким чином, у віддзеркаленому світлі читають (бачать) записану інформацію – зображення предмета.
У кожній комірці молекули рідкого кристала-нематика (показані короткими паличками на рис. 3.8) вишукуються вздовж одного напрямку і пропускають світло, площина поляризації якого є паралельною до них (широка прозора стрілка на рис. 3.8.). Молекули мають дипольний момент, тому їх орієнтацію можна змінювати електричним полем.
Електричне поле, що прикладається до різних комірок екрану, є різним за величиною Е, відповідно до того, скільки світла потрібно пропустити, що сформувати зображення предмету (рис.3.7?). Кольорове зображення одержують завдяки використанню кольорових фільтрів (рис.3.7). Роздільна здатність екрану монітора. визначається кількістю пікселів, що створюють матрицю. За приклад візьмемо рідкокристалічний екран (LCD-екран) телевізора LG RZ-23LZ20. Він має роздільну здатність 1280х768 пикселів та передає близько 17 мильонів кольорів с контрастом 400:1.
|