РОЗДІЛ 1. ОДЕРЖАННЯ ТА СТРУКТУРА ТОНКОПЛІВКОВИХ ШАРІВ СИСТЕМИ As-Se
Кваліфікаційна робота бакалавра Край поглинання тонкоплівкових шарів AsXSe1-X Виконала студентка 4 курсу, 4 групи Спеціальність 6.050801 – мікро- та наноелектроніка Фозекош Т.В. Керівник: к.ф-м.н.,доц.Росола І.Й. Рецензент:
УЖГОРОД 2014 ЗМІСТ ВСТУП………………………………………………..……………………………3 РОЗДІЛ 1.ОДЕРЖАННЯ ТА СТРУКТУРА ТОНКОПЛІВКОВИХ ШАРІВ СИСТЕМИ As-Se …………………………………………………………………4 1.1.Одержання плівок системи As-Se ……………………………….……………4 1.2.Електронно- мікроскопічні дослідження структури шарів системи As-Se ………………………………………………………………………….…….6 РОЗДІЛ 2.ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ПЛІВОК СИСТЕМИ As-Se ………….14 2.1.Визначення оптичних констант плівок на прозорій підкладці…………...14 2.1.1. Визначення показника заломлення із порядкових чисел m …………16 2.1.2. Визначення показника заломлення із рівняння дисперсії…………...19 2.2.Експерементальна установка і методика дослідження оптичних констант плівок……………………………………………………………………………..21 2.3.Експерементальні результати та методика їх обрахунку…………………24 ВИСНОВКИ……………………………………………………………………...37 СПИСОК ВИКОРИСТАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ…………………………………...38
ВСТУП Впродовж останніх трьох десятиріч некристалічні матеріали на основі селену пройшли переконливий шлях – від майже повної невідомості до завоювання міцної позиції на технологічному ринку. Області використання і перелік пристроїв на базі цього багатофункціонального напівпровідникового матеріалу множаться з кожним роком. Вивчення некристалічних напівпровідників насьогодні складає одну з найбільш активних областей фізики конденсованого стану. Безперечно, що ефективним стимулом для фундаментальних досліджень некристалічних матеріалів є технологічні песпективи. Ці матеріали вдало поєднують відносну простоту технології їх одержання, класичні напівпровідникові властивості з наявністю цілої низки унікальних явищ [1-6]. Однією із цікавих властивостей, якими володіють більшість хальногенідних склоподібних напівповідників (ХСН), є здатність змінювати свої оптичні, фізико-хімічні і фотоелектричні властивості під дією випромінювання [1-4]. Важливою особливістю цього ефекту є його зворотність, або здатність до відновлення попередніх властивостей матеріалу в процесі відпалу. Розвиток методів когерентно – оптичної обробки інформіції вимагає створення більш досконалих приладів, які перетворюють вхідну інформацію в оптичний когерентний сигнал у реальному часі, а саме, оптично-керованих транспорантів з вдосконалими параметрами. Метою кваліфікаційної роботи бакалавра було освоїти методику дослідження оптичних властивостей тонко плівкових шарів AsXSe1-X. Завданням роботи було: аналіз літературних даних про структуру, та фізико - хімічні властивості, методів одержання і дослідження ширини забороненої зони тонких шарів AsXSe1-X.
РОЗДІЛ 1. ОДЕРЖАННЯ ТА СТРУКТУРА ТОНКОПЛІВКОВИХ ШАРІВ СИСТЕМИ As-Se
|