Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Механізм утворення подвійного електричного шару





 

Виникнення подвійного електричного шару на міжфазній поверхні відбувається завдяки прагненню системи позбутися надлишкової поверхневої енергії шляхом зменшення міжфазного поверхневого натягу. При цьому на міжфазній поверхні відбувається перерозподіл електронів, іонів, або орієнтація полярних молекул у поверхневому шарі. Завдяки цьому фази, що дотикаються, набувають зарядів рівних за значенням і протилежних за знаком. Утворюється подвійний електричний шар з відповідним зарядом, потенціалом і ємністю, який викликає зменшення поверхневого натягу.

Подвійний електричний шар може утворюватися в результаті вибіркової адсорбції іонів на твердій поверхні. Наприклад на поверхні кристала йодистого срібла AgI, що знаходиться в розчині AgNO3, будуть адсорбуватися іони срібла Ag+, які добудовують кристалічну ґратку кристалу і надають поверхні позитивного заряду, ці іони називають потенціалвизначальними. До потенціалвизначальних іонів електростатичними силами притягуються іони з протилежнім знаком – протиіони, в даному випадку - NO3- (рис.37,а)

Рис. 37. Схема утворення подвійного електричного шару.

 

Подвійний електричний шар може утворюватися в наслідок вибіркової адсорбції, навіть якщо іони, що присутні в розчині не добудовують кристалічну ґратку поверхні. Наприклад на поверхні парафіну, що знаходиться в розчині лугу, внаслідок вибіркової адсорбції адсорбуються гідроксильні іони, а іони металу утворюють шар протиіонів.

Подвійний електричний шар може утворюватися за рахунок поверхневої іонізації. Наприклад на поверхні твердих частинок діоксиду кремнію SiO2, що знаходяться у воді, відбувається гідратація деяких молекул з утворенням силікатної кислоти, яка здатна до дисоціації:

SiO2 + H2O ↔ H2SiO3

H2SiO3 ↔ SiO32- + 2H+

 

При цьому аніони силікатної кислоти залишаються на поверхні частинки, а іони водню переходять в розчин (рис.37,б).

Якщо міжфазна поверхня утворена речовинами, що нездатні обмінюватися зарядами, то подвійний електричний шар може бути утворений за рахунок відповідних орієнтацій молекул на поверхні. Якщо подвійний електричний шар утворюється неелектролітами, то знак заряду поверхні визначається правилом Кьона: при зіткненні двох фаз неелектролітів позитивний заряд отримує фаза з більшою діелектричною проникністю.

 







Дата добавления: 2015-09-04; просмотров: 522. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Важнейшие способы обработки и анализа рядов динамики Не во всех случаях эмпирические данные рядов динамики позволяют определить тенденцию изменения явления во времени...


ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МЕХАНИКА Статика является частью теоретической механики, изучающей условия, при ко­торых тело находится под действием заданной системы сил...


Теория усилителей. Схема Основная масса современных аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств выполняется на специализированных микросхемах...


Логические цифровые микросхемы Более сложные элементы цифровой схемотехники (триггеры, мультиплексоры, декодеры и т.д.) не имеют...

Задержки и неисправности пистолета Макарова 1.Что может произойти при стрельбе из пистолета, если загрязнятся пазы на рамке...

Вопрос. Отличие деятельности человека от поведения животных главные отличия деятельности человека от активности животных сводятся к следующему: 1...

Расчет концентрации титрованных растворов с помощью поправочного коэффициента При выполнении серийных анализов ГОСТ или ведомственная инструкция обычно предусматривают применение раствора заданной концентрации или заданного титра...

Кишечный шов (Ламбера, Альберта, Шмидена, Матешука) Кишечный шов– это способ соединения кишечной стенки. В основе кишечного шва лежит принцип футлярного строения кишечной стенки...

Принципы резекции желудка по типу Бильрот 1, Бильрот 2; операция Гофмейстера-Финстерера. Гастрэктомия Резекция желудка – удаление части желудка: а) дистальная – удаляют 2/3 желудка б) проксимальная – удаляют 95% желудка. Показания...

Ваготомия. Дренирующие операции Ваготомия – денервация зон желудка, секретирующих соляную кислоту, путем пересечения блуждающих нервов или их ветвей...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2026 год . (0.01 сек.) русская версия | украинская версия