Линия кристаллизации и ее влияние на свойства пленки

­­­­

Вытяжка и раздув рукава приводят к утонению заготовки и к ориен­тации цепей макромолекул в пленке (упрочнению).

Быстрая кристаллизация дает более мелкие кристаллы; при этом пленка будет прозрачнее, менее мутной на вид и иметь более гладкую поверхность с сильным блеском.

Стандартная позиция линии застывания может рассматриваться приблизительно на расстоянии от 300 до 350 мм выше поверхности го­ловки, а для более плотных пленок линия застывания выбирается еще выше. Для очень тонких пленок (от 10-15 мкм) позиция линии засты­вания практически не влияет на конечный продукт, но для более тол­стых (свыше 20 мкм) эта позиция рассматривается как важный фак­тор вместе с производительностью экструзии и скоростью приемки.

При быстром охлаждении конусность рукава возрастает, т.е. линия кристаллизации приближается к головке (рисунок 23).

При недостаточной интенсивности охлаждения и преимущественно продольной ориентации пленки рукав имеет вытянутую вверх шейку, и линия кристаллизации удаляется от торца головки.

При удовлетворительном охлаждении и равномерной ориентации пленки в двух направлениях рукав имеет вид конуса, и линия кри­сталлизации является ее основанием. Большая часть вытяжки в про­дольном направлении реализуется ближе к формующей части головки, а поперечного раздува — к линии кристаллизации (но не выше ее!).

Высота линии кристаллизации влияет на мутность пленки, ее глянцевость и светопропускание (рисунок 23)[4].

Рисунок 23. Влияние высоты линии кристаллизации Н на:

1 — глянец (Г) рукавных пленок из ПЭНП;

2 — мутность (М); 3 — светопропускание (Сп)