Студопедия Главная Случайная страница Обратная связь

Разделы: Автомобили Астрономия Биология География Дом и сад Другие языки Другое Информатика История Культура Литература Логика Математика Медицина Металлургия Механика Образование Охрана труда Педагогика Политика Право Психология Религия Риторика Социология Спорт Строительство Технология Туризм Физика Философия Финансы Химия Черчение Экология Экономика Электроника

Логарифмически нормальное распределение.





В ряде случаев для представления распределения показателей надежности приборов на начальном этапе эксплуатации используют логарифмически нормальное распределение, при котором логарифм случайной величины подчиняется нормальному закону распределения. В этом случае выражение для плотности вероятности имеет вид

, (3.6)

где - десятичный логарифм исследуемой случайной величины (в данном случае логарифм случайной наработки до отказа), - математическое ожидание логарифма наработки до отказа, - среднее квадратическое отклонение величины .

Среднее время безотказной работы при логарифмически нормальном распределении рассчитывается по формуле

. (3.7)

Распределение Вейбулла – Гнеденко.

Для описания показателей надежности полупроводниковых приборов и ИМС на начальном этапе эксплуатации часто используется распределение Вейбулла – Гнеденко, характеризуемое двумя параметрами: параметром масштаба и параметром формы . Показатели надежности определяются следующими выражениями:

вероятность безотказной работы

, (3.8)

плотность вероятности отказов

, (3.9)

интенсивность отказов

. (3.10)

Особенностью этого распределения является то, что с изменением параметра формы , изменяется, и характер зависимости показателей надежности от времени. Так, например, для интенсивность отказов будет монотонно убывающей функцией, а при - монотонно возрастающей. Данное свойство распределения позволяет соответствующим подбором параметров и обеспечить хорошее совпадение результатов опытных данных с аналитическими выражениями показателей распределения. Так при постоянной величине кривые распределения плотности вероятности от времени при различных значениях будут иметь вид показанный на рис. 3.3. Большинство полупроводниковых приборов и ИМС на начальном периоде времени эксплуатации имеет распределение наработки до отказа, подчиняющееся закону Вейбулла – Гнеденко, с показателем формы меньше или близким к единице.

Рис. 3.3.







Дата добавления: 2015-12-04; просмотров: 229. Нарушение авторских прав; Мы поможем в написании вашей работы!




Картограммы и картодиаграммы Картограммы и картодиаграммы применяются для изображения географической характеристики изучаемых явлений...


Практические расчеты на срез и смятие При изучении темы обратите внимание на основные расчетные предпосылки и условности расчета...


Функция спроса населения на данный товар Функция спроса населения на данный товар: Qd=7-Р. Функция предложения: Qs= -5+2Р,где...


Аальтернативная стоимость. Кривая производственных возможностей В экономике Буридании есть 100 ед. труда с производительностью 4 м ткани или 2 кг мяса...

Стресс-лимитирующие факторы Поскольку в каждом реализующем факторе общего адаптацион­ного синдрома при бесконтрольном его развитии заложена потенци­альная опасность появления патогенных преобразований...

ТЕОРИЯ ЗАЩИТНЫХ МЕХАНИЗМОВ ЛИЧНОСТИ В современной психологической литературе встречаются различные термины, касающиеся феноменов защиты...

Этические проблемы проведения экспериментов на человеке и животных В настоящее время четко определены новые подходы и требования к биомедицинским исследованиям...

Метод Фольгарда (роданометрия или тиоцианатометрия) Метод Фольгарда основан на применении в качестве осадителя титрованного раствора, содержащего роданид-ионы SCN...

Потенциометрия. Потенциометрическое определение рН растворов Потенциометрия - это электрохимический метод иссле­дования и анализа веществ, основанный на зависимости равновесного электродного потенциала Е от активности (концентрации) определяемого вещества в исследуемом рас­творе...

Гальванического элемента При контакте двух любых фаз на границе их раздела возникает двойной электрический слой (ДЭС), состоящий из равных по величине, но противоположных по знаку электрических зарядов...

Studopedia.info - Студопедия - 2014-2025 год . (0.008 сек.) русская версия | украинская версия